一种高质量石墨烯及其制备方法

    公开(公告)号:CN104973591A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201410145750.8

    申请日:2014-04-11

    Abstract: 本发明涉及一种高质量石墨烯及其制备方法,该制备方法包括将氧化石墨烯包裹嵌入膨胀石墨片层间得到氧化石墨烯/膨胀石墨混合物;以及将所得的氧化石墨烯/膨胀石墨混合物进行热处理以利用所述氧化石墨烯高温膨胀还原时的反应力辅助剥离所述膨胀石墨,从而制得石墨烯粉体。本发明将氧化石墨烯包裹嵌入膨胀石墨的片层间,利用氧化石墨高温膨胀还原时剧烈反应的冲击力将膨胀石墨片层剥离开,得到蓬松的石墨烯粉末,膨胀后所得石墨烯层数可控,无缺陷,杂质少,纯度高。

    氧化石墨烯和石墨烯增强水泥基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103130436B

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201310098136.6

    申请日:2013-03-25

    Abstract: 本发明涉及一种氧化石墨烯和石墨烯增强水泥基复合材料及其制备方法。所述氧化石墨烯和石墨烯增强水泥基复合材料包括氧化石墨烯、石墨烯、分散剂、增稠稳定剂、减水剂、消泡剂和水泥基体,其中,氧化石墨烯和石墨烯的总质量与水泥基体的质量比为(0.0005~0.5):1,氧化石墨烯和石墨烯的总质量、分散剂、减水剂、增稠稳定剂和消泡剂的质量比为1:(0.05~10):(0.1~20):(0.1~20):(0.05~5)。本发明的复合材料中,氧化石墨烯和石墨烯均匀分散在水泥基体中,与传统水泥材料相比,抗拉、抗折强度、电导率均有显著提高,具有更优异的力学性能和电学性能,可适用于多功能建筑材料领域。

    二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103219066A

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201210017879.1

    申请日:2012-01-19

    Abstract: 本发明涉及一种二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法。所述制备方法包括:将石墨烯、纳米线与分散助剂分散到溶剂中,超声震荡,得到分散良好的石墨烯/纳米线溶液,经真空抽滤、干燥后,得到石墨烯/纳米线复合薄膜。所述复合薄膜厚度为10nm-1000μm,有良好的强度和柔性,方块电阻在0.001-3000Ω/sq.范围内,电导率为0.01-5000S/cm。本发明得到的石墨烯/纳米线复合薄膜具有良好的强度、柔性和导电性,厚度可控、形状可剪裁,并且制备过程简单,易于操作,制备成本低,适合于太阳电池、储能、散热、催化、传感及导电复合材料领域。

    三维网络结构的石墨烯基背电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102842354A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201110165401.9

    申请日:2011-06-20

    Abstract: 本发明属于纳米复合材料领域,具体涉及一种新型的三维网络结构石墨烯基背电极材料及其制备方法。特征在于本发明所述制备方法采用具有三维连续孔结构的金属模板作为催化剂,利用化学气相沉积法生长石墨烯,石墨烯层数为1-20,采用刻蚀液和有机溶剂去除金属模板和支撑材料,获得三维连续石墨烯网络结构,之后将上述石墨烯网络与粘结剂复合获得三维网络结构石墨烯基背电极材料。本发明工艺简单,过程易控制,导电性能优异,制备成本低,适合于CdTe和多晶硅等太阳能电池领域。

    三维石墨烯/相变储能复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102585776A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210019839.0

    申请日:2012-01-20

    Abstract: 本发明的课题是提供一种三维石墨烯/相变储能复合材料及其制备方法。解决的手段是,石墨烯与相变储能材料原位复合,其中以具有三维结构的多孔石墨烯作为导热体和复合模板,以固-液相变的有机材料作为储能材料和填充剂。三维多孔石墨烯与相变材料复合,相变储能材料被分隔在各个孔腔,与石墨烯壁紧密结合,有效热接触面积大幅度提高,高度联通的石墨烯三维导热网络通道将快速实现系统换热。另一方面,多孔石墨烯的毛细吸附力将液态相变储能材料局域化,可有效防止渗流。因此三维石墨烯泡沫拥有较好的可设计性,成为更轻和更高效的电子器件散热材料。

    一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN110453280A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201810432604.1

    申请日:2018-05-08

    Inventor: 黄富强 程园 毕辉

    Abstract: 本发明提供一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法,包括:将经等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气氛,然后升温至退火温度后再通入氢气进行退火处理,所述金属箔为铜箔、镍箔、钼箔、钴箔中的一种;向反应炉中导入碳源,调节退火温度至石墨烯单晶的生长温度后开始石墨烯单晶的生长,待生长结束后冷却至室温;所述等离子体处理的气氛为空气、氢气、氩气、氧气、氮气中的至少一种,功率为100~150W,压力为400~500Pa,时间为1~30分钟。

    一种复合正极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110165168A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910403900.3

    申请日:2019-05-15

    Inventor: 黄富强 毕辉

    Abstract: 本发明涉及一种复合正极材料及其制备方法和应用,所述复合正极材料包括纳米晶正极材料,包覆于所述纳米晶正极材料表面的富含岩盐缺陷层,以及用于原位负载表面包覆富含岩盐缺陷层的纳米晶正极材料的由三维石墨烯管共价键相互连接而形成的管状石墨烯网络结构;所述纳米晶正极材料为化学组成为LiMO2的层状正极材料,M为钴、锰、镍、钌元素的至少一种;所述富含岩盐缺陷层的组成为过渡金属氧化物或/和锂盐。

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