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发明公开
纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法失效

公开(公告)号：CN101476940A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910045670.4

申请日：2009-01-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 尤立星 , 杨晓燕

IPC: G01J5/10 , B82B3/00 , B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米尺寸超导热电子测辐射热仪(SHEB)制备方法，包括以下步骤：(1)超薄超导薄膜准备；(2)电极制作；(3)广义微桥形成；(4)纳米尺寸桥区形成。其特征是：在(4)中，采用原子力显微镜纳米刻蚀方法构造纳米尺寸桥区。本发明的优点是：采用原子力显微镜纳米刻蚀方法可以实现纳米尺寸的微桥。其桥区长度由AFM纳米刻蚀所形成的纳米线条的宽度所决定。而纳米线条的宽度由AFM针尖电压、周围环境的湿度、温度以及电场作用时间等参数所控制。该方法可以减小SHEB的有效尺寸，适用于各种不同纳米尺寸的SHEB制备。

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