一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法及其装置

    公开(公告)号:CN110428918B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201910727873.5

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法,依次包括以下工序:工序A,沉积温度为1000~1050℃,沉积压力为200~1000Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序B,沉积温度为1050~1100℃,沉积压力为200~1000Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序C,沉积温度为1050~1100℃,沉积压力为400~1500Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序D,沉积温度为1050~1200℃,沉积压力为400~1500Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在4~10范围。实施上述快速致密化方法的装置,包括依次连接的导气管、气体混合滞留罐、基座、限域反应器和盖板。采用本发明提供的工艺及装置获得的SiCf/SiC复合材料包壳管制备周期大幅缩短,且其具有致密度高、基体分布均匀的有益效果。

    一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法及其装置

    公开(公告)号:CN110428918A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910727873.5

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法,依次包括以下工序:工序A,沉积温度为1000~1050℃,沉积压力为200~1000Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序B,沉积温度为1050~1100℃,沉积压力为200~1000Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序C,沉积温度为1050~1100℃,沉积压力为400~1500Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在6.5~10范围;工序D,沉积温度为1050~1200℃,沉积压力为400~1500Pa,H2/MTS的摩尔体积配比在4~10范围。实施上述快速致密化方法的装置,包括依次连接的导气管、气体混合滞留罐、基座、限域反应器和盖板。采用本发明提供的工艺及装置获得的SiCf/SiC复合材料包壳管制备周期大幅缩短,且其具有致密度高、基体分布均匀的有益效果。

    一种屏蔽伽马和中子射线的陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117660822A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311671592.5

    申请日:2023-12-07

    Abstract: 本发明涉及辐射屏蔽材料技术领域,公开了一种屏蔽伽马和中子射线的陶瓷材料及其制备方法,所述陶瓷材料包括屏蔽层、以及覆设于所述屏蔽层表面的防护层;所述屏蔽层的制备方法,包括如下步骤:A1取10B@COFs和有机树脂,置于分散液中,搅拌,得到产物A;A2取产物A,在搅拌状态下,匀速加入稀土基陶瓷,待混合充分,即得到产物B;A3另取钨合金球,加入表面活性剂,搅拌混匀,再加入产物B,混合,压制成型,得到屏蔽层。本发明中的屏蔽伽马和中子射线的陶瓷材料,对伽马射线和中子射线均具有良好的屏蔽效果,即屏蔽射线的范围广,且屏蔽效果更显著,材料稳定性更强。

    一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN110483055B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201910727806.3

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法,包括以下步骤:采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积,以丙烯为碳源气体、以三氯甲基硅烷为碳化硅源气体进行共沉积;载气为氢气,稀释气体为氩气和氢气;利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积,碳化硅源气体为三氯甲基硅烷,载气为氢气,稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiCf/SiC复合材料,在纤维与基体之间为PyC‑SiC复相界面,PyC‑SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法,主要包括利用CVI共沉积制备PyC‑SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤,界面制备更容易控制且制备效率也更高;所制备的SiCf/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。

    一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN110483055A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910727806.3

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法,包括以下步骤:采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积,以丙烯为碳源气体、以三氯甲基硅烷为碳化硅源气体进行共沉积;载气为氢气,稀释气体为氩气和氢气;利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积,碳化硅源气体为三氯甲基硅烷,载气为氢气,稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiCf/SiC复合材料,在纤维与基体之间为PyC-SiC复相界面,PyC-SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法,主要包括利用CVI共沉积制备PyC-SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤,界面制备更容易控制且制备效率也更高;所制备的SiCf/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。

    一种高硼不锈钢板的制备方法

    公开(公告)号:CN106392077B

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201610880718.3

    申请日:2016-10-09

    Abstract: 本发明公开了一种高硼不锈钢板的制备方法,包括粉料封装:将满足化学成分要求的高硼不锈钢合金粉末装入镜框盒子中振实填满,盖上盖板进行焊接封装;自由锻制:将封装好的镜框盒子放入高温炉中,经加热、升温、保温后自由锻制成厚板;热轧:将锻制后的厚板再次放入高温炉中,经加热、升温、保温后热轧成所需厚度的薄板;型材加工:将热轧板去镜框、固溶处理、以及校直,得到硼化物在奥氏体中均匀分布、密度为97~99%T.D的成品板材。按照本发明工艺制造出来的成品板材,其性能与现有技术的工艺制造出来的板材性能同样优异,对于设备的要求更低,制造成本也更低。

    碳化硼-铝硅合金可燃毒物芯块的制备方法

    公开(公告)号:CN102672178B

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201210155439.2

    申请日:2012-05-18

    Abstract: 本发明提供一种碳化硼-铝硅合金可燃毒物芯块的制备方法。该方法是将碳化硼粉末与铝硅合金粉末经均匀混料后,压成预制芯坯,再进行热挤压,经退火及后续加工,得到可燃毒物芯块成品。本发明的制备方法操作简单,成本低,毒物芯块密度高且导热性能好,碳化硼分布均匀性好,满足核反应堆可燃毒物的设计使用要求。

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