一种微孔生物质衍生碳材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118122275A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410312552.X

    申请日:2024-03-19

    Abstract: 本发明提供了一种微孔生物质衍生碳材料及其制备方法和应用,属于新材料技术领域。该碳材料将一定质量比例的壳聚糖和P2O5粉末置于干燥房中进行研磨,制得微孔生物质衍生碳材料的前驱体,然后在N2气氛的管式炉中进行碳化处理得到碳化产物,经充分洗涤、抽滤,烘干即得。利用壳聚糖在P2O5作用下脱去水分,而P2O5转变成焦磷酸、多聚磷酸、偏磷酸等各类衍生磷酸盐;各类衍生磷酸盐表面的磷氧基团可与壳聚糖的羟基发生缩合反应,形成可连接或交联多糖聚合物碎片的磷酸盐复合体,在后续碳化过程中持续发挥造孔作用;使得碳材料具备高比表面积、高微孔、高孔道利用效率的特性,能够对水体中Cr(VI)进行高效地吸附。

    氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用

    公开(公告)号:CN115849450B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202211648488.X

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 本发明提供了一种氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用。本发明的制备方法,利用水热反应及后续退火制备得到具有同质结的氧化钨复合材料;由正交相WO3·0.33H2O和六方相三氧化钨形成的同质结气敏材料,在相界面处自由电子由六方相向正交相转移,直到他们的费米能级达到平衡,在正交相一侧形成电子积累层,六方相一侧形成电子耗尽层,界面处构成了n‑n同质结。正交相一侧的电子积累层利于吸附更多氧形成氧负离子与气体进行反应,有助于提高其对气体的灵敏度,并整体提高气体传感器的性能;而且,这种面内的同质结有助于提高载流子传输速率,从而提升与气体进行反应的速率,从而整体提升其对气体的检测性能。

    氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用

    公开(公告)号:CN115849450A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211648488.X

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 本发明提供了一种氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用。本发明的制备方法,利用水热反应及后续退火制备得到具有同质结的氧化钨复合材料;由正交相WO3·0.33H2O和六方相三氧化钨形成的同质结气敏材料,在相界面处自由电子由六方相向正交相转移,直到他们的费米能级达到平衡,在正交相一侧形成电子积累层,六方相一侧形成电子耗尽层,界面处构成了n‑n同质结。正交相一侧的电子积累层利于吸附更多氧形成氧负离子与气体进行反应,有助于提高其对气体的灵敏度,并整体提高气体传感器的性能;而且,这种面内的同质结有助于提高载流子传输速率,从而提升与气体进行反应的速率,从而整体提升其对气体的检测性能。

    半导体金属氧化物的制备方法、气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114965893A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210570401.5

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明提供了一种半导体金属氧化物的制备方法、气体传感器及其制备方法。本发明的制备方法,通过将金属硝酸盐、苯并咪唑、咪唑‑4,5‑二羧酸加入至溶剂中,得到前驱体溶液,再进行溶剂热反应得到前驱体粉末,然后煅烧得到半导体金属氧化物;本申请的制备方法,利用溶剂热反应制备得到具有MOF结构的半导体金属氧化物;MOF结构的半导体金属氧化物具有高孔隙率、低密度、大比表面积、孔道规则、孔径可调以及拓扑结构多样性和可裁剪性等优点,可以改变金属氧化物对气体的灵敏度,从而整体提高气体传感器的性能;而且制备的半导体金属氧化物材料具有高度的热稳定性,进一步提升材料电荷载流子的浓度,整体提升与低浓度气体的检测下限。

    一种水热法合成碲钼酸锰晶体的方法

    公开(公告)号:CN103255479A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310215340.1

    申请日:2013-05-31

    Abstract: 本发明提供了一种水热法合成碲钼酸锰晶体的方法,包括以下步骤:将MnO、TeO2、MoO3以及足量的水放入水热反应釜内衬中,其中MnO、TeO2与MoO3之间的摩尔比为1∶1∶1,充分搅拌均匀后,将水热反应釜内衬密封并装入水热反应釜中,升温至200℃并在此温度下反应48小时,反应完成后以6℃/h的速度降至室温,即可得到碲钼酸锰晶体。本发明速提供的合成碲钼酸锰晶体工艺简单,制备过程中所用到的设备低廉,成本低。整个制备工艺周期短,在2-3天内即可得到碲钼酸锰晶体。

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