公开(公告)号：CN118981914A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410973872.X

申请日：2024-07-19

Applicant: 中国南方电网有限责任公司

Inventor： 陈钰凯 ,  谢宁 ,  赵伟 ,  王正磊

IPC: G06F30/23 ,  G06F18/214 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明涉及SiC MOSFET建模技术领域，公开了一种SiC MOSFET模型的构建方法及装置。该方法建立电容数据采集模型；将若干个栅源电压和漏源电压的组合参数输入电容数据采集模型中，得到若干组电容数据；通过组合栅源电压、漏源电压数据和电容数据得到若干组组合数据；建立栅源电容、栅漏电容和漏源电容的模型公式；基于若干组组合数据对栅源电容、栅漏电容和漏源电容的模型公式进行参数拟合，分别得出栅源电容、栅漏电容和漏源电容的双电压影响模型，从而构建SiC MOSFET开关模型。本发明考虑了结电容的双电压影响特性，提高了SiC MOSFET模型的适用性和建模准确度。

公开(公告)号：CN118868897A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410974316.4

申请日：2024-07-19

Applicant: 中国南方电网有限责任公司

Inventor： 谢宁 ,  赵伟 ,  陈钰凯 ,  王正磊

IPC: H03K17/687 ,  H02H9/04 ,  H02M3/10

Abstract: 本发明公开了一种Si C MOSFET的级联升压型驱动方法及电路，所述电路包括控制电路、电平转换电路和保护电路；其中，所述控制电路用于生成第一驱动电压，以驱动Si C MOSFET的导通或关断；所述电平转换电路的输入端与所述控制电路的输出端电连接，所述电平转换电路的输出端与所述保护电路的输入端电连接，且和Si C MOSFET电连接，用于对所述第一驱动电压进行电平转换，生成所述Si C MOSFET对应的第二驱动电压；所述保护电路的输出端与所述Si C MOSFET电连接，用于将所述Si C MOSFET的第二驱动电压钳位至第三驱动电压，用于提高驱动的灵活性及稳定性。

公开(公告)号：CN118868896A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410973115.2

申请日：2024-07-19

Applicant: 中国南方电网有限责任公司

Inventor： 赵伟 ,  谢宁 ,  陈钰凯 ,  王正磊 ,  赵艳军 ,  王宗义

IPC: H03K17/687 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明公开一种内置Boost升压单元的Si C MOSFET驱动电路及装置，所述电路包括：内置Boost升压单元、电平转换电路、保护电路和Si C MOSFET；所述内置Boost升压单元的输入端与外部的驱动信号输入端相连，所述内置Boost升压单元的第一输出端、第二输出端分别与所述电平转换电路的第一输入端、第二输入端相连，所述内置Boost升压单元的第三输出端与所述保护电路的第一输入端相连。采用本发明，能够有效降低系统中的开关损耗，提升电路的效率和稳定性，进而达到对系统的高效能耗管理和散热控制。

公开(公告)号：CN118569025A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410654065.1

申请日：2024-05-24

Applicant: 中国南方电网有限责任公司

Inventor： 谢宁 ,  王正磊 ,  林文智 ,  陈钰凯 ,  赵伟 ,  王宗义

IPC: G06F30/23 ,  G06Q10/04 ,  G06F119/08 ,  G06F119/04

Abstract: 本申请涉及一种变流器模组组件状态分级评估方法、装置、计算机设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：对绝缘栅双极型晶体管单元不同工况下的电气参数进行仿真计算，得到绝缘栅双极型晶体管单元的初始参数信息；根据电容器老化对绝缘栅双极型晶体管单元参数信息的影响关系，对初始参数信息进行耦合计算，得到绝缘栅双极型晶体管单元的耦合参数信息；根据耦合参数信息，得到绝缘栅双极型晶体管单元的损耗功率；根据损耗功率，得到绝缘栅双极型晶体管单元的预测寿命；根据预测寿命，对变流器模组组件的状态进行分级评估。采用本方法考虑到了电容器老化后对绝缘栅双极型晶体管单元参数信息的影响，可以实现变流器模组组件长期运行可靠性的评估。

公开(公告)号：CN118523628A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410498888.X

申请日：2024-04-24

Applicant: 中国南方电网有限责任公司

Inventor： 谢宁 ,  赵伟 ,  赵艳军 ,  林文智 ,  陈钰凯 ,  王正磊

IPC: H02M3/335

Abstract: 本申请涉及一种双向有源桥低电流应力优化控制方法，该方法通过确定双向有源桥电路在不同模式下的移相比范围，然后根据双向有源桥电路在不同控制策略下的实际性能模型，以及双向有源桥电路在不同模式下的移相比范围，确定双向有源桥电路在每一模式下不同控制策略的性能参数值；性能参数值包括电流应力值和/或功率值，最后根据双向有源桥电路的不同模式在不同控制策略下的性能参数值，以及双向有源桥电路在不同模式下的移相比范围，控制双向有源桥电路进行电压变换。该方法中的控制策略相比于传统的控制策略，能够最高的控制灵活度，所以基于该方法对双向有源桥进行控制，可以提升充放电转换效率，降低损耗。