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公开(公告)号：CN116207516B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310380030.9
申请日：2023-04-11
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三层超表面的高性能超材料吸波体，包括吸波单元，每个吸波单元均包括由上到下依次设置的介质超表面层、第一支撑介质层、第一电磁超表面、第一电磁超表面衬底、第二支撑介质层、第二电磁超表面、第二电磁超表面衬底、第三支撑介质层和金属背板；介质超表面层为中心开设圆孔的正六边形介质贴片结构；第一电磁超表面包括异形正六边形环和加载在异形正六边形环顶点上的六个第一电阻；第二电磁超表面包括片式环和第二电阻。本发明采用上述结构的基于三层超表面的高性能超材料吸波体，能够在超宽带范围内实现‑20dB吸波性和大角度稳定性，从而使其在降低电磁辐射、电磁兼容、信号屏蔽等领域的具有极大的实用价值。
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公开(公告)号：CN117374604A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311469685.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 中南大学 , 湖北三江航天万峰科技发展有限公司
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于PIN二极管的有源频率选择表面结构，属于微波技术领域，包括至少一个周期排布的谐振单元，谐振单元从上到下依次设置有第一衬底介质层、第一金属频率选择表面层、第一介质结构层、第二金属频率选择表面层、第二衬底介质层、第二介质结构层、第三金属频率选择表面层以及第三衬底介质层，第一金属频率选择表面层和第二金属频率选择表面层均为电感方环结构，第三金属频率选择表面层为PIN二极管环形结构。采用上述结构的一种基于PIN二极管的有源频率选择表面结构，结构简单，馈电方式简便，可在宽频范围内实现透射和反射的切换，且对极化不敏感，适用于复杂电磁环境，且可由印刷PCB板实现，成本低，加工简单。
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公开(公告)号：CN116315730A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310380034.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种多层高性能超宽带吸波结构，包括密铺的多个呈六面体结构的吸波单元，每个吸波单元均包括由上到下依次设置的蒙皮保护层、第一支撑介质层、第一电磁超表面、第一电磁超表面衬底、第二支撑介质层、第二电磁超表面、第二电磁超表面衬底、第三支撑介质层和金属背板；蒙皮保护层的介电常数大于第一介质支撑层的介电常数。本发明采用上述结构的一种多层高性能超宽带吸波结构，通过设置多层结构，使得入射电磁波在多层界面之间反射形成谐振损耗，从而起到在超宽带范围内实现反射率低于‑20dB，能够在60°斜入射时保持超宽带‑10dB吸波性能。
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公开(公告)号：CN116207516A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310380030.9
申请日：2023-04-11
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三层超表面的高性能超材料吸波体，包括吸波单元，每个吸波单元均包括由上到下依次设置的介质超表面层、第一支撑介质层、第一电磁超表面、第一电磁超表面衬底、第二支撑介质层、第二电磁超表面、第二电磁超表面衬底、第三支撑介质层和金属背板；介质超表面层为中心开设圆孔的正六边形介质贴片结构；第一电磁超表面包括异形正六边形环和加载在异形正六边形环顶点上的六个第一电阻；第二电磁超表面包括片式环和第二电阻。本发明采用上述结构的基于三层超表面的高性能超材料吸波体，能够在超宽带范围内实现‑20dB吸波性和大角度稳定性，从而使其在降低电磁辐射、电磁兼容、信号屏蔽等领域的具有极大的实用价值。
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公开(公告)号：CN114204272A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111530845.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种透波‑吸波‑透波一体化的超材料，包括由上至下依次设置的表面保护层、阻抗匹配层、电磁损耗超表面、电磁损耗超表面衬底、介质结构层、无损带通‑带阻‑带通超表面一和无损带通‑带阻‑带通超表面衬底；所述电磁损耗超表面由若干导电单元一构成，导电单元一包括同一圆心的导电外圆环和导电内圆环，导电外圆环和导电内圆环上均加载有若干个电阻；无损带通‑带阻‑带通超表面一由若干个导电单元二构成，导电单元二由导电正方形环一组成或由顶点上加载有电感的导电正方形环一组成。本发明采用上述的一种透波‑吸波‑透波一体化的超材料，电磁波透波率高，吸波带带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115296040B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202210939066.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种电阻加载正六边形环超宽带吸波结构，包括若干个呈正六棱柱体的吸波单元，吸波单元包括由上到下依次设置的用于保护内层结构以及匹配宽带阻抗的表面蒙皮介质层、用于与表面蒙皮介质层协同匹配阻抗从而提高入射角稳定性的阻抗匹配介质层、用于匹配阻抗从而实现宽带高性能吸收的阻抗型频率选择表面、用于促进带宽增加的阻抗型频率选择表面衬底、用于与阻抗型频率选择表面匹配、发生干涉相消从而实现宽带高性能吸收的介质层和用于反射电磁波并在介质层中与入射电磁波发生干涉相消的金属层。本发明采用上述结构的阻加载正六边形环超宽带吸波结构，具有偏振不敏感特性和优异的入射角稳定性，在一定程度上满足室外应用场景。
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公开(公告)号：CN119070028A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411242595.1
申请日：2024-09-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种3D超结构增强吸透一体超材料，属于微波技术领域，该超材料包括由上至下依次设置的3D超结构、介质结构层Ⅰ、电磁损耗超表面Ⅰ、电磁损耗超表面Ⅰ衬底、介质结构层Ⅱ、电磁损耗超表面Ⅱ、电磁损耗超表面Ⅱ衬底、介质结构层Ⅲ、无损带通型超表面、无损带通型超表面衬底；所述电磁损耗超表面Ⅰ由若干导电单元一构成，导电单元一包括导电闵可夫斯基环和位于导电闵可夫斯基环四角上的四个导电内方形环。本发明提供的3D超结构增强吸透一体超材料可以解决传统吸波涂料吸波带宽窄，电路模拟吸波体不具备透波带，不兼容天线工作的技术问题。
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公开(公告)号：CN117855876A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410087178.8
申请日：2024-01-22
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种双极化多态可调吸透一体超材料，属于可调电磁吸波透波一体化技术领域，包括第一可调电磁超表面，所述第一可调电磁超表面下方设有第一可调电磁超表面衬底，所述第一可调电磁超表面衬底下方设有支撑介质层，所述支撑介质层下方设有第二可调电磁超表面，所述第二可调电磁超表面与第三可调电磁超表面之间设有第二可调电磁超表面衬底。本发明采用上述的一种双极化多态可调吸透一体超材料，通过调控电源的输入状态，该吸透一体超材料可以实现在TE和TM极化分别具有七种不同的透波、吸波、反射状态，可以解决无源吸透一体超材料技术中只能在特定的透波和吸波频段的问题，从而使其在降低电磁辐射、电磁兼容领域的具有极大的实用价值。
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公开(公告)号：CN116864995B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310977318.4
申请日：2023-08-04
Applicant: 中南大学
Abstract: 能够解决现有吸波结构无法实现特定频段吸波本发明涉及电磁调制吸波结构技术领域，且 幅度独立可调和宽带吸波，以适应更加复杂的电公开了一种二极管加载两层有源超材料分频段 磁环境的问题。可调吸波结构，包括吸波结构，吸波结构由上至下依次包括有源可调超表面层一、衬底介质层、有源可调超表面层二、支撑介质层和金属层，有源可调超表面层一包括结构单元一，有源可调超表面层二包括结构单元二，结构单元一包括加载二极管和定值电阻的导线单元一，导线单元一包括二极管加载单元、定值电阻和平行的直流馈电
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公开(公告)号：CN119070028B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411242595.1
申请日：2024-09-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种3D超结构增强吸透一体超材料，属于微波技术领域，该超材料包括由上至下依次设置的3D超结构、介质结构层Ⅰ、电磁损耗超表面Ⅰ、电磁损耗超表面Ⅰ衬底、介质结构层Ⅱ、电磁损耗超表面Ⅱ、电磁损耗超表面Ⅱ衬底、介质结构层Ⅲ、无损带通型超表面、无损带通型超表面衬底；所述电磁损耗超表面Ⅰ由若干导电单元一构成，导电单元一包括导电闵可夫斯基环和位于导电闵可夫斯基环四角上的四个导电内方形环。本发明提供的3D超结构增强吸透一体超材料可以解决传统吸波涂料吸波带宽窄，电路模拟吸波体不具备透波带，不兼容天线工作的技术问题。
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