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公开(公告)号：CN102041421A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201110007251.9
申请日：2011-01-13
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高钨含量高致密度细晶钨铜材料及其制备方法，其成分为：Cu含量为5-20wt％；余量为W。首先采用溶胶-喷雾干燥获得W-Cu前驱体粉末，前躯体粉末经煅烧后再进行球磨获得成分均匀的W-Cu氧化物复合粉末，氧化物复合粉末经多步氢还原方法获得超细W-Cu复合粉末；再加入0-2.5wt％的低分子有机粘结剂后采用模压或冷等静压压制成压坯；然后将压坯进行二步烧结，获得致密的高性能细晶W-Cu材料。本发明制备的W-Cu材料的致密度高达98.5％以上，合金组织细小均匀，导电导热性能好，热膨胀系数低，电导率为17-27MS/m(IACS为29-46)，热导率为170-220W/(m·K)，热膨胀系数为(4.5-7.0)×10-6/K，非常适合制作高性能电极材料、电触头材料以及电子封装材料。
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