公开(公告)号：CN116577523B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310854083.X

申请日：2023-07-13

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  丑修建 ,  乔骁骏 ,  李晓黄 ,  李稼禾 ,  汪子涵 ,  杨凌霄 ,  张慧毅 ,  武晓慧 ,  余楠鑫

IPC: G01P15/09 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于半导体器件MEMS结构工艺技术领域，涉及加速度传感器，具体为一种基于振动微球的加速度传感器及制备方法。传感器是通过键合工艺将铌酸锂晶片与硅基片低温键合并进行减薄和抛光，在铌酸锂表面通过溅射工艺和IBE刻蚀工艺制备电极，在硅基片背面进行深硅刻蚀工艺实现中心质量环与复合结构悬臂梁释放再通过紫外光固化胶粘剂将微球固定在器件中心，从而完成压电振动传感器件的制备。本发明制备的振动微球加速度传感器，与四悬臂梁的传感器相比有更高的输出且拓宽了频带宽度，与质量块结构的加速度传感器相比在谐振频率下有更高的输出电荷以及更高的灵敏度，能够满足中低频微振动环境下的测试要求。

公开(公告)号：CN116577523A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310854083.X

申请日：2023-07-13

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  丑修建 ,  乔骁骏 ,  李晓黄 ,  李稼禾 ,  汪子涵 ,  杨凌霄 ,  张慧毅 ,  武晓慧 ,  余楠鑫

IPC: G01P15/09 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于半导体器件MEMS结构工艺技术领域，涉及加速度传感器，具体为一种基于振动微球的加速度传感器及制备方法。传感器是通过键合工艺将铌酸锂晶片与硅基片低温键合并进行减薄和抛光，在铌酸锂表面通过溅射工艺和IBE刻蚀工艺制备电极，在硅基片背面进行深硅刻蚀工艺实现中心质量环与复合结构悬臂梁释放再通过紫外光固化胶粘剂将微球固定在器件中心，从而完成压电振动传感器件的制备。本发明制备的振动微球加速度传感器，与四悬臂梁的传感器相比有更高的输出且拓宽了频带宽度，与质量块结构的加速度传感器相比在谐振频率下有更高的输出电荷以及更高的灵敏度，能够满足中低频微振动环境下的测试要求。