化合物半导体型太阳能电池用基板

    公开(公告)号:CN102460720B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201080025477.5

    申请日:2010-05-18

    CPC classification number: H01L31/0392 H01L31/03928 Y02E10/541

    Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体型太阳能电池用基板,其即便在形成薄膜时经过高温工序之后,依然能够维持良好的弹性。化合物半导体型太阳能电池用基板由钢板构成,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为300~8000mg/m2的Cr层。而且,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为500~3000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度不足550℃。而且,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000~8000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度超过800℃。此外,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000~5000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度大于等于550℃且小于等于800℃。进而,钢带中的Mn成分小于等于2wt%,Fe成分小于等于98wt%。

Patent Agency Ranking