化合物半导体型太阳能电池用基板

    公开(公告)号:CN102460720A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201080025477.5

    申请日:2010-05-18

    CPC classification number: H01L31/0392 H01L31/03928 Y02E10/541

    Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体型太阳能电池用基板,其即便在形成薄膜时经过高温工序之后,依然能够维持良好的弹性。化合物半导体型太阳能电池用基板由钢板构成,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为300~8000mg/m2的Cr层。而且,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为500~3000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度不足550℃。而且,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000~8000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度超过800℃。此外,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000~5000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度大于等于550℃且小于等于800℃。进而,钢带中的Mn成分小于等于2wt%,Fe成分小于等于98wt%。

    具有印刷鲜明性的复层延伸膜片层合金属板

    公开(公告)号:CN1174121A

    公开(公告)日:1998-02-25

    申请号:CN96109438.9

    申请日:1996-08-19

    Abstract: 本发明的目的是提供一种通过将金属板的片面或两面由复层所构成的延伸膜片所被覆,使罐外面或罐盖外面具有鲜映的白色度或印刷鲜明性的材料。本发明在金属板上被覆复层延伸膜片,该复层延伸膜片是由上层具有特定范围的白色颜料的特定厚度的膜片,下层具有特定范围的填充材的特定厚度的膜片层合而成。

    化合物半导体型太阳能电池用基板

    公开(公告)号:CN102460720B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201080025477.5

    申请日:2010-05-18

    CPC classification number: H01L31/0392 H01L31/03928 Y02E10/541

    Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体型太阳能电池用基板,其即便在形成薄膜时经过高温工序之后,依然能够维持良好的弹性。化合物半导体型太阳能电池用基板由钢板构成,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为300~8000mg/m2的Cr层。而且,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为500~3000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度不足550℃。而且,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000~8000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度超过800℃。此外,在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000~5000mg/m2的Cr层,太阳能电池层的制膜温度大于等于550℃且小于等于800℃。进而,钢带中的Mn成分小于等于2wt%,Fe成分小于等于98wt%。

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