公开(公告)号：CN1745190A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003020.9

申请日：2004-01-26

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 阿部昌则 ,  高桥小弥太 ,  新井一喜 ,  高畑努 ,  桥本真吉 ,  向后雅则

IPC: C23C4/10

CPC classification number: C03C17/04 ,  C03C3/062 ,  C03C3/083 ,  C03C3/085 ,  C03C3/095 ,  C03C8/02 ,  C03C15/00 ,  C03C17/002 ,  C03C17/007 ,  C03C17/3417 ,  C03C19/00 ,  C03C2217/78 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23D5/04 ,  Y02T50/67

Abstract: 用于CVD装置、等离子体处理装置等的部件通过与腐蚀性气体反应或者用等离子体蚀刻而消耗，因此导致例如由于颗粒的产生而污染制品和生产率下降的问题。耐受腐蚀性气体和等离子体的玻璃的耐热强度差，因此应用范围有限。包含其上涂覆含有选自2a族、3a族和4a族中的至少一种元素的耐蚀玻璃、的玻璃喷涂层的高耐热基底、尤其是涂覆硅酸铝或硅酸锆喷涂层的高耐热基底的部件具有对腐蚀性气体和等离子体高耐蚀性以及具有高耐热强度，并且因此产生较少的颗粒。