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公开(公告)号：CN111573693B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010411603.6
申请日：2016-02-04
Applicant: 东曹株式会社
Inventor： 楢木祐介
Abstract: 本发明的目的在于提供具有新型结构的AFX型沸石。一种AFX型沸石，其特征在于，(004)面的晶面间距d为以上且以下，且二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为10以上且32以下。这种AFX型沸石可以通过具备将如下组合物以160℃以上进行结晶化的结晶化工序的制造方法来制造：该组合物包含硅源、铝源、1,3‑二(1‑金刚烷基)咪唑鎓阳离子及碱金属，至少为氢氧根离子相对于二氧化硅的摩尔比低于0.25或二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为27以下中的任一者，且1,3‑二(1‑金刚烷基)咪唑鎓阳离子相对于二氧化硅的摩尔比低于0.20。
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公开(公告)号：CN107207270B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201680009000.5
申请日：2016-02-04
Applicant: 东曹株式会社
Inventor： 楢木祐介
Abstract: 本发明的目的在于提供具有新型结构的AFX型沸石。一种AFX型沸石，其特征在于，(004)面的晶面间距d为以上且以下，且二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为10以上且32以下。这种AFX型沸石可以通过具备将如下组合物以160℃以上进行结晶化的结晶化工序的制造方法来制造：该组合物包含硅源、铝源、1,3‑二(1‑金刚烷基)咪唑鎓阳离子及碱金属，至少为氢氧根离子相对于二氧化硅的摩尔比低于0.25或二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为27以下中的任一者，且1,3‑二(1‑金刚烷基)咪唑鎓阳离子相对于二氧化硅的摩尔比低于0.20。
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公开(公告)号：CN111573693A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010411603.6
申请日：2016-02-04
Applicant: 东曹株式会社
Inventor： 楢木祐介
Abstract: 本发明的目的在于提供具有新型结构的AFX型沸石。一种AFX型沸石，其特征在于，(004)面的晶面间距d为以上且 以下，且二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为10以上且32以下。这种AFX型沸石可以通过具备将如下组合物以160℃以上进行结晶化的结晶化工序的制造方法来制造：该组合物包含硅源、铝源、1,3-二(1-金刚烷基)咪唑鎓阳离子及碱金属，至少为氢氧根离子相对于二氧化硅的摩尔比低于0.25或二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为27以下中的任一者，且1,3-二(1-金刚烷基)咪唑鎓阳离子相对于二氧化硅的摩尔比低于0.20。
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公开(公告)号：CN111511685A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880080136.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供一种β型沸石，其SiO2/Al2O3比不足20，并且具有与以往的SiO2/Al2O3比为20以上的β型沸石同等程度以上的耐热性。一种β型沸石，其特征在于，在以CuKα射线为射线源的粉末X射线衍射测定中，(302)面的粉末X射线衍射峰的半峰宽为0.15以上且0.50以下，并且，二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比不足20。这样的β型沸石优选通过如下制造方法来得到，所述制造方法的特征在于，具有使包含氧化铝源、二氧化硅源、碱源、四乙基铵阳离子源及水的组合物晶化的晶化工序；该组合物含有钾，并且钾相对于二氧化硅的摩尔比超过0.04。
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