公开(公告)号：CN104160062A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380011711.2

申请日：2013-01-16

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 山下雅充 ,  藤元高佳 ,  岩出卓

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  H01L51/44 ,  H01L51/52 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L31/028 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/0481 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/424 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供一种膜，该膜通过为低应力且水分吸收少的密封膜结构，从而在经时变化中不会发生剥离，具有稳定的阻隔性。具体地说，提供一种含硅膜，该含硅膜具备：通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度为0元素％以上且小于10元素％的第1化学沉积层；和通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度超过35元素％且为70元素％以下的第2化学沉积层，其中，上述第1化学沉积层的厚度(L1)与上述第2化学沉积层的厚度(L2)之比L2/L1为1.5～9。