公开(公告)号：CN102817006B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210308708.4

申请日：2012-08-27

Applicant: 上海交通大学 ,  上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 李文英 ,  钟建 ,  张小秋 ,  尹桂林 ,  张柯 ,  姜来新 ,  余震 ,  何丹农

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  G01Q60/38

Abstract: 本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，最终可得到表面覆有3～20nm铬膜和30～100nm金膜的原子力显微镜探针；可用于微观科学等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。