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公开(公告)号：CN105366635B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510728575.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 一种运动传感器的形成方法，包括：提供MEMS晶圆，MEMS晶圆具有第一表面和与第一表面对置的第二表面，第一表面键合有封盖晶圆，第二表面具有第一键合层；提供CMOS晶圆，CMOS晶圆具有器件区和引脚区，CMOS晶圆上具有多个分立的电极层；在CMOS晶圆上形成钝化层，所述钝化层暴露器件区中部分电极层的表面用于电学连接CMOS晶圆和MEMS晶圆，且暴露引脚区的电极层表面；在CMOS晶圆暴露出的电极层、器件区的钝化层上形成第二键合层；将第一键合层和第二键合层键合后，采用深硅刻蚀工艺形成贯穿封盖晶圆和MEMS晶圆厚度的通孔，所述通孔暴露引脚区的电极层表面。所述方法提高了运动传感器的良率且简化了工艺步骤。
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公开(公告)号：CN106449606A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610890521.8
申请日：2016-10-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提出了一种MIM电容器结构及其制作方法，形成第一极板、第二极板及第三极板，并将第一极板和第三极板进行电连接，从而形成两个并联的电容，进而能够增加整个MIM电容器结构的电容值，并且不会增加整个芯片的面积，还能够很好的与其他工艺进行兼容。
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公开(公告)号：CN105947969A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610269072.5
申请日：2016-04-27
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81C1/00928 , B81C3/001
Abstract: 本申请公开了一种MEMS运动传感器产品硅片的制造方法，包括如下步骤：步骤一，提供一片包含若干孤岛的空腔图形的硅片和一片空白硅片通过SOI工艺键合在一起；步骤二，在所述硅层表面沉积一层金属；步骤三，光罩显影出MEMS运动传感器的悬臂梁结构图案；步骤四，干法深硅刻蚀所述硅层至露出下层空腔；步骤五，干法ASH工艺除去所述硅片表面的剩余光刻胶和部分蚀刻形成的polymer；步骤六，湿法清洗工艺去除剩余的polymer；步骤七，形成MEMS产品硅片。该方法不仅能配合干法ASH工艺完全清除深硅刻蚀形成的polymer，而且也能防止MEMS运动传感器悬臂梁粘连问题，显著提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN105575953A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511028173.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
CPC classification number: H01L25/043 , H01L21/52 , H01L21/561
Abstract: 本发明提供一种运动器件的连接部件，包括：第一层，所述第一层包括至少一个凹槽；以及第二层，所述第二层包括至少一个凸起，其中，所述第一层和所述第二层键合，其中，所述凸起嵌入所述凹槽中。本发明还提供了一种形成连接部件的方法，包括：提供第一层和第二层；刻蚀所述第一层形成至少一个凹槽；以及键合所述第一层和所述第二层，其中，在键合过程中，所述第二层的材料被高温高压力压入所述第一层的所述凹槽中，从而形成嵌入所述凹槽中的凸起。本发明还提供了一种运动器件。所述连接部件可以有效地降低所述第一层和所述第二层之间形成气隙或空洞的概率，以形成良好的键合结构。进一步地，所述运动器件空腔的气密性可以得到有效地提高。
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公开(公告)号：CN105366635A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510728575.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
CPC classification number: B81C3/001 , B81C1/00087 , B81C1/00539
Abstract: 一种运动传感器的形成方法，包括：提供MEMS晶圆，MEMS晶圆具有第一表面和与第一表面对置的第二表面，第一表面键合有封盖晶圆，第二表面具有第一键合层；提供CMOS晶圆，CMOS晶圆具有器件区和引脚区，CMOS晶圆上具有多个分立的电极层；在CMOS晶圆上形成钝化层，所述钝化层暴露器件区中部分电极层的表面用于电学连接CMOS晶圆和MEMS晶圆，且暴露引脚区的电极层表面；在CMOS晶圆暴露出的电极层、器件区的钝化层上形成第二键合层；将第一键合层和第二键合层键合后，采用深硅刻蚀工艺形成贯穿封盖晶圆和MEMS晶圆厚度的通孔，所述通孔暴露引脚区的电极层表面。所述方法提高了运动传感器的良率且简化了工艺步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105016291A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510308993.3
申请日：2015-06-07
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: B81B7/02 , B81C3/00 , H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本发明提出了一种可减少MEMS键合过程中铝锗键合桥连的结构。在现有技术的基础上，将由多个单通孔进行上下层金属层连接的通孔，改成围绕键合结构的环状通孔结构，并且形成预定深度和宽度。后续形成再分布层不会填充满环状的通孔，并且还会存在凹槽中。在进行Al和Ge键合时，由于压力的存在，半融的再分布层流出时，需要填充满环形通孔的形成的凹槽，然后才能流出，从而对流出的再分布层起到阻挡的作用，减少相邻的器件之间形成桥连的可能性，进而影响器件的性能。
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公开(公告)号：CN104485415A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410844147.9
申请日：2014-12-25
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明提出了一种各向异性磁阻结构，将平面磁阻的长度形成长于垂直磁阻的长度，将沟槽的长度相应的增加，并且在平面磁阻超出的长度处形成第二间距，即在第一间距的基础上增加了宽度，确保了后续的刻蚀能够将平面磁阻和垂直磁阻靠近沟槽处刻蚀开，避免两者形成桥连，能够提高各向异性磁阻的性能。
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公开(公告)号：CN104401929A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410667914.3
申请日：2014-11-20
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本发明提供了一种用于融合键合晶片的键合结构及锚点结构。用于融合键合晶片的键合结构包括：用于将框架内的器件与外界隔离的键合框架、布置在键合框架内的用于防止运动部件的运动过量的阻挡部件、以及布置在键合框架内的用于键合连接的锚点；其中，所述锚点包括由多个锚点分块组成的矩阵结构，而且其中，所述多个锚点分块中的每一个锚点分块与相邻锚点分块由浅沟槽隔开。根据本发明优选实施例的用于融合键合晶片的锚点结构将原来的整体锚分成多个小块，由此使得锚的边缘数量变多，从而使得能够进行有效键合的长度变大，由此改进键合强度。
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公开(公告)号：CN104176698A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410428773.X
申请日：2014-08-27
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 一种集成MEMS器件及其制作方法。本发明在MOS晶体管的金属互连结构上堆栈三轴AMR MEMS器件，三轴AMR中，位于水平面内的两个垂直维度的X轴方向各向异性磁电阻条与Y轴方向各向异性磁电阻条形成在介质层表面，位于竖直方向的第三维度的Z轴方向各向异性磁电阻条形成在沟槽的侧壁，上述沟槽在形成过程中以MOS晶体管的某层金属线图案上所形成的刻蚀终止层为刻蚀终点。上述方案不仅制作了三个相互垂直维度的各向异性磁电阻条，且将AMR MEMS器件与MOS晶体管集成在一起，避免了各自制作，减小了体积。
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公开(公告)号：CN109473486B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201811216535.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L29/94 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种电容器结构及其制作方法，通过刻蚀衬底形成若干具有高深宽比的沟槽，以剩余衬底作为电容的第一极板，然后在所述沟槽内壁形成电容介质层，最后于所述沟槽内形成导电层作为电容的第二极板。本发明提供的电容器结构的制作方法，可通过调节沟槽的刻蚀深度，增大电容的有效面积，进而提高电容器单位面积上的电容密度。而且本发明工艺步骤简单，与现有CMOS工艺流程匹配，有效降低生产成本。
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