一种双层热阻式薄膜热电堆型热流计及制备方法

    公开(公告)号:CN113091956B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202110269611.6

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明提供一种双层热阻式薄膜热电堆型热流计及其制备方法,包括:陶瓷基底;设置于陶瓷基底上的第一内热阻层和第一外热阻层;第一内热阻层材料的导热系数大于第一外热阻层材料的导热系数;设置于第一内热阻层和第一外热阻层上的若干对热电偶;若干对热电偶首尾搭接形成薄膜热电堆,且相邻对热电偶通过正极与负极热电偶对接串联;正极与负极热电偶相连的冷结点设置于第一内热阻层上方,正极与负极热电偶相连的热结点设置于第一外热阻层上方;分别设置于热结点、冷结点上的第二外热阻层、第二内热阻层;本发明的双层热阻层的厚度、材料导热系数之差增大了热电偶连结点的温差,增大了相应的电势输出,提高了热流测量的灵敏度。

    一种复合保护层的高温薄膜应变计及其制备方法

    公开(公告)号:CN108088610B

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201711121529.9

    申请日:2017-11-14

    Abstract: 本发明提供一种复合保护层的高温薄膜应变计及其制备方法,所述应变计包括:高温合金构件基底、合金过渡层、氧化铝绝缘层、氧化铝保护层、铝中间层、PdCr应变层和Pt电极。所述应变计以高温合金构件为基底,在基底上先磁控溅射过渡层合金并高温氧化生成薄层氧化铝薄膜,再双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜,在绝缘薄膜上射频磁控溅射PdCr应变层,离子束溅射Al中间层和Al2O3保护层。本发明适用于构件在高温工作过程中应变的实时测量;采用通用MEMS图形化工艺,溅射PdCr做应变层,离子束溅射制备Al和Al2O3经过热处理得到复合保护层,来防止PdCr薄膜的氧化,提高了应变计的抗氧化能力和稳定性。

    一种新型多功能传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN106959169A

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201710254835.3

    申请日:2017-04-18

    CPC classification number: G01K7/16 G01R27/02

    Abstract: 本发明提供一种新型多功能传感器芯片及其制备方法,包括硅基衬底,以及设于硅基衬底上的氧化硅绝缘层、温度传感器、C4D电导率传感器、BST薄膜保护层,其中:氧化硅绝缘层覆盖在硅基衬底上方,C4D电导率传感器的四个敏感电极被氧化硅绝缘层包围,温度传感器置于氧化硅绝缘层上方,BST薄膜保护层覆盖在温度传感器、C4D电导率传感器上表面并露出引线电极;当所述芯片置于被测溶液中时,由C4D测量原理,C4D电导率传感器输出被测溶液的阻抗图,将其与标准的阻抗谱比对后即得到相应电导率值;同时,温度传感器输出相应温度。本发明同时实现温度与电导率测量,具有结构简单、体积小、成本低、耐腐蚀、响应速度快、测量范围大、测量精度高的特点。

    高温合金基底上多层异质薄膜结构热流计及其制备方法

    公开(公告)号:CN117168657A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202210562537.1

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本发明提供了一种高温合金基底上多层异质薄膜结构热流计及其制备方法,包括合金基底,过渡层合金薄膜、热生长氧化薄膜以及离子束溅射薄膜依次设置在合金基底上;热阻层薄膜和热导层薄膜二者均设置在离子束溅射薄膜上;正极热电偶与负极热电偶二者均设置在热阻层薄膜和热导层薄膜上,正极热电偶设置在负极热电偶的两侧,正极热电偶与负极热电偶二者分别通过热节点和冷节点连接,且热节点位于热阻层薄膜的上方,冷节点位于热导层薄膜的上方;一个正极热电偶和一个负极热电偶串联形成一对热电偶,多对热电偶首尾搭接形成薄膜热电堆。本发明通过利用多层异质薄膜结构热流计,有助于进行瞬态大热流的测量,从而有助于提高热流计的灵敏度。

    用于发动机关键部件的微型自供能传感器设计及其制备方法

    公开(公告)号:CN114613900A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210232688.0

    申请日:2022-03-09

    Abstract: 本发明提供了一种用于发动机关键部件的微型自供能传感器设计及其制备方法,包括电气隔离层、热阻层、P型半导体以及N型半导体;电气隔离层表面设置有一个或多个热阻层,设置有热阻层区域形成有热端区域,未覆盖有热阻层区域形成有冷端区域;P型半导体与N型半导体二者均设置在电气隔离层和热阻层形成的结合体上,P型半导体与N型半导体间隔设置且依次首尾相连,连接处形成有节点。本发明通过在电气隔离层上制备热阻层,再在二者上制备P型半导体和N型半导体组成的传感器电路,有助于将热能转化为电能。本发明通过采用多种热端区域与热节点的配合方式,有助于提高传感器的工作效率,从而有助于提高传感器的适用范围。

    一种双层热阻式薄膜热电堆型热流计及制备方法

    公开(公告)号:CN113091956A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110269611.6

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明提供一种双层热阻式薄膜热电堆型热流计及其制备方法,包括:陶瓷基底;设置于陶瓷基底上的第一内热阻层和第一外热阻层;第一内热阻层材料的导热系数大于第一外热阻层材料的导热系数;设置于第一内热阻层和第一外热阻层上的若干对热电偶;若干对热电偶首尾搭接形成薄膜热电堆,且相邻对热电偶通过正极与负极热电偶对接串联;正极与负极热电偶相连的冷结点设置于第一内热阻层上方,正极与负极热电偶相连的热结点设置于第一外热阻层上方;分别设置于热结点、冷结点上的第二外热阻层、第二内热阻层;本发明的双层热阻层的厚度、材料导热系数之差增大了热电偶连结点的温差,增大了相应的电势输出,提高了热流测量的灵敏度。

    一种新型多功能传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN106959169B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201710254835.3

    申请日:2017-04-18

    Abstract: 本发明提供一种新型多功能传感器芯片及其制备方法,包括硅基衬底,以及设于硅基衬底上的氧化硅绝缘层、温度传感器、C4D电导率传感器、BST薄膜保护层,其中:氧化硅绝缘层覆盖在硅基衬底上方,C4D电导率传感器的四个敏感电极被氧化硅绝缘层包围,温度传感器置于氧化硅绝缘层上方,BST薄膜保护层覆盖在温度传感器、C4D电导率传感器上表面并露出引线电极;当所述芯片置于被测溶液中时,由C4D测量原理,C4D电导率传感器输出被测溶液的阻抗图,将其与标准的阻抗谱比对后即得到相应电导率值;同时,温度传感器输出相应温度。本发明同时实现温度与电导率测量,具有结构简单、体积小、成本低、耐腐蚀、响应速度快、测量范围大、测量精度高的特点。

Patent Agency Ranking