公开(公告)号：CN111983754B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201910432113.1

申请日：2019-05-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王洪炜 ,  张永 ,  何宇 ,  孙璐 ,  苏翼凯

IPC: G02B6/14

Abstract: 一种紧凑硅波导模式转换器，为基于具有倾斜的亚波长周期性扰动的电介质超曲面结构，包括：在SOI基片上蚀刻形状的若干个周期个数，周期为Λ、占空比、倾斜角度为θ的斜向亚波长扰动的顶层硅结构；本发明采用具有倾斜的亚波长扰动的全介质超表面结构，可以实现紧凑的基模到任意高阶模的硅波导模式转换，能够大幅度提升光通信容量。

公开(公告)号：CN111983754A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910432113.1

申请日：2019-05-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王洪炜 ,  张永 ,  何宇 ,  孙璐 ,  苏翼凯

IPC: G02B6/14

Abstract: 一种紧凑硅波导模式转换器，为基于具有倾斜的亚波长周期性扰动的电介质超曲面结构，包括：在SOI基片上蚀刻形状的若干个周期个数，周期为Λ、占空比、倾斜角度为θ的斜向亚波长扰动的顶层硅结构；本发明采用具有倾斜的亚波长扰动的全介质超表面结构，可以实现紧凑的基模到任意高阶模的硅波导模式转换，能够大幅度提升光通信容量。