公开(公告)号：CN112544004A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201980048435.4

申请日：2019-08-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 汤田洋平 ,  绵引达郎 ,  宫岛晋介 ,  滝口雄贵

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外延层与p型氧化物半导体层之间配设，氧化物层的材料为与氧化镓不同的材料并且为与p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。