公开(公告)号：CN106537166A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039331.9

申请日：2015-07-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 尾込智和 ,  下畑贤司 ,  浅野启行 ,  井上甚

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的磁性传感器装置包括：磁场生成部成分的被检测物(4)的一个面侧，生成与所述被检测物(4)交叉的交叉磁场；以及磁阻效应元件(3)，该磁阻效应元件(3)配置在所述被检测物(4)与所述磁场生成部(1)之间，其电阻值随着因所述被检测物(4)沿着传送方向被传送而产生的所述交叉磁场在所述传送方向上的分量的变化而变化，所述磁阻效应元件(3)中，在传送方向上相邻的电阻体(32a、32b)桥接连接，所述电阻体(32a、32b)配置成以与所述传送方向正交的方向为轴相对于桥接中心呈线对称，所述磁阻效应元件(3)的桥接中心在所述传送方向上的位置配置在所述磁场生成部(1)在所述传送方向上的中心位置。(1)，该磁场生成部(1)配置在片状且包含有磁性

公开(公告)号：CN103842838B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280023413.0

申请日：2012-05-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 尾込智和 ,  浅野启行 ,  庄司俊明 ,  武舎武史 ,  井上甚 ,  冈田正明 ,  加贺野未来 ,  真壁和也 ,  下畑贤司 ,  岸本健

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01D5/147 ,  G01N27/72 ,  G01R33/096 ,  G07D7/04

Abstract: 磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。

公开(公告)号：CN104969084A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007669.1

申请日：2014-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅野启行 ,  庄司俊明 ,  尾込智和 ,  下畑贤司 ,  冈田正明 ,  加贺野未来 ,  樋野雅司 ,  松井秀树

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02

CPC classification number: G01D5/16 ,  G01R33/09

Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。