磁性传感器装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106461740B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201580024766.6

    申请日:2015-05-12

    Abstract: 本发明的磁性传感器装置包括:磁体(1),该磁体(1)在与具有磁性体的被检测物(6)的传送方向(10)垂直的方向上具有互不相同的磁极,以与所述传送方向(10)正交的方向为长边方向而沿所述长边方向延伸;以及各向异性磁阻效应元件(5),该各向异性磁阻效应元件(5)沿所述长边方向呈线状地配置于所述磁体(1)的所述被检测物(6)侧的磁极,在所述磁体(1)中,所述长边方向的端部的与所述传送方向(10)垂直的方向上的长度比所述长边方向的中央部的与所述传送方向(10)垂直的方向上的长度要长,在所述各向异性磁阻效应元件(5)与所述磁体(1)之间具备磁轭(4)。

    磁性体检测装置
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103038659B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201180037392.3

    申请日:2011-05-12

    CPC classification number: G01R33/095 B82Y25/00 G01R33/093

    Abstract: 本发明的磁性体检测装置具备配置于磁性体的移动路径的途中的磁阻传感器、沿磁性体的移动方向排列了S极以及N极的下侧磁铁、以及沿磁性体的移动方向排列了N极以及S极的上侧磁铁等。下侧磁铁以及上侧磁铁隔着磁性体的移动路径而被配置成使下侧磁铁的S极与上侧磁铁的N极相向,并使下侧磁铁的N极与上侧磁铁的S极相向。通过这样的结构,能够高精度地检测磁性体。

    磁传感器装置
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103003711B

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201180037420.1

    申请日:2011-07-28

    CPC classification number: G01R33/091 G01R33/09 G01R33/096 G07D7/04

    Abstract: 通过在输送纸币(5)的中空部(2)的壁面设置将不同极相向配置的第一磁铁(6)和第二磁铁(7),从而在中空部(2)形成在磁铁的相向方向的磁场分量和纸币(5)的输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场。在纸币(5)与第一磁铁(6)之间设置AMR元件(10)。AMR元件(10)被多层基板包围并且被树脂包覆。AMR元件(10)设置在上述输送方向的梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中。纸币(5)在梯度磁场的强磁场强度区域中通过。

    磁性体检测装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103038659A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201180037392.3

    申请日:2011-05-12

    CPC classification number: G01R33/095 B82Y25/00 G01R33/093

    Abstract: 本发明的磁性体检测装置具备配置于磁性体的移动路径的途中的磁阻传感器、沿磁性体的移动方向排列了S极以及N极的下侧磁铁、以及沿磁性体的移动方向排列了N极以及S极的上侧磁铁等。下侧磁铁以及上侧磁铁隔着磁性体的移动路径而被配置成使下侧磁铁的S极与上侧磁铁的N极相向,并使下侧磁铁的N极与上侧磁铁的S极相向。通过这样的结构,能够高精度地检测磁性体。

    磁传感器装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103003711A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201180037420.1

    申请日:2011-07-28

    CPC classification number: G01R33/091 G01R33/09 G01R33/096 G07D7/04

    Abstract: 通过在输送纸币(5)的中空部(2)的壁面设置将不同极相向配置的第一磁铁(6)和第二磁铁(7),从而在中空部(2)形成在磁铁的相向方向的磁场分量和纸币(5)的输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场。在纸币(5)与第一磁铁(6)之间设置AMR元件(10)。AMR元件(10)被多层基板包围并且被树脂包覆。AMR元件(10)设置在上述输送方向的梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中。纸币(5)在梯度磁场的强磁场强度区域中通过。

    磁传感器元件、磁传感器以及磁传感器装置

    公开(公告)号:CN117084004A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202180096277.7

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 磁传感器元件(2)具备固定层(21)、第1非磁性层(22)、第1磁性层(23)以及自由层(24)。固定层(21)具有固定的磁化的朝向。第1非磁性层(22)重叠于固定层(21)。第1磁性层(23)与固定层(21)夹持第1非磁性层(22)。沿着第1非磁性层(22)重叠于固定层(21)的方向而配置有自由层(24)。第1磁性层(23)以及自由层(24)各自具有与固定层(21)相比容易被外部磁场改变的磁化的朝向。固定层(21)以及第1磁性层(23)通过间接交换相互作用而被耦合。

    磁传感器装置
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109983355B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN201780070376.1

    申请日:2017-10-24

    Abstract: 磁传感器装置包括:在检测对象物(21)的传送路径中形成磁场的磁体(4);将磁场的变化作为电阻值的变化进行输出的磁阻效应元件(2);对磁体(4)及磁阻效应元件(2)进行收纳或保持的壳体(6);覆盖磁阻效应元件(2)、形成沿着传送路径的面即传送路径面(1b)的盖板(1);以及具有配置于与传送路径面相交叉的交叉面的信号放大IC(8),并利用信号放大IC(8)对与因在传送路径面(1b)上传送的检测对象物(21)而产生的磁场的变化相对应的、由磁阻效应元件(2)输出的电阻值的变化进行放大的信号放大基板(9)。

    图像读取装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113170027A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980081362.9

    申请日:2019-11-05

    Abstract: 图像读取装置(1)包括拍摄元件(20A)和拍摄元件(20B),拍摄元件(20A)具有:将光照射到读取对象(M)的导光体(21A、22A);使导光体(21A、22A)所照射的光的来自读取对象(M)的反射光成像的透镜体(8A);将透镜体(8A)成像后的光转换为电信号的受光元件(11A);及控制受光元件(11A)的曝光时间的控制装置(14A),拍摄元件(20B)具有:使导光体(21A)所照射的光的来自读取对象(M)的透射光成像的透镜体(8B);将透镜体(8B)成像后的光转换为电信号的受光元件(11B);及控制受光元件(11B)的曝光时间的控制装置(14B)。

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