具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置

    公开(公告)号:CN1433023A

    公开(公告)日:2003-07-30

    申请号:CN02143452.2

    申请日:2002-09-26

    Inventor: 大谷顺

    CPC classification number: G11C11/16 G11C29/789

    Abstract: 与存储器阵列(10)相邻地配置的编程组件(PU0~PU2)分别各存储置换修复所需要的冗长信息的1位。在通常的数据读出动作之前,从编程组件中读出的冗长信息锁存到行选择电路(20)内。行选择电路(20)根据由冗长信息表示的不良行地址与输入的行地址(RA0,RA1)的一致判断有选择地激活与正规存储单元对应的字线(WL0~WL3)和备用字线(SWL)中的1条字线。

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