充电控制用半导体集成电路

    公开(公告)号:CN101599655B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN200910145475.9

    申请日:2009-06-05

    CPC classification number: H02J7/0052 G01R19/16519 H03K17/0822

    Abstract: 本发明提供一种充电控制用半导体集成电路。通过电流反射镜方式来检测在电流控制用MOS晶体管中流过的电流来进行控制的充电控制用IC中,即使晶体管的尺寸比波动,也能够提高电流检测精度。在电流反射镜方式的电流检测电路(13)中,设置偏置状态控制用晶体管(Q3)、将电流控制用晶体管(Q1)以及电流检测用晶体管的漏极电压作为输入的运算放大电路(AMP1),根据该运算放大电路的输出,电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与电流控制用晶体管的偏置状态相同,并且调整电流检测用晶体管的漏极布线的长度,以使从电流控制用晶体管和电流检测用晶体管的各漏极到运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻导致的电压降相同。

    充电控制用半导体集成电路

    公开(公告)号:CN101673961A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910171135.3

    申请日:2009-09-08

    Abstract: 本发明提供一种充电控制用半导体集成电路,在充电控制用IC中,即使是在电压输入端子上连接有旁路电容的情况下,也能够在电源断开时防止内部电路进行误动作。充电控制用半导体集成电路具有:电流控制用晶体管(Q1),其连接在电压输入端子和输出端子之间,用于控制从所述电压输入端子流向输出端子的电流;电源监视电路(12),其用于检测所述电压输入端子的输入电压状态;晶体管元件(Q0),其连接在所述电压输入端子与接地电位点之间,在所述电压输入端子上连接有旁路电容(C1),在充电控制用半导体集成电路中在通过所述电源监视电路检测到所述电压输入端子的输入电压已被切断的情况下,使所述晶体管元件成为导通状态,从而使所述旁路电容放电。

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