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公开(公告)号：CN1932542B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200610105522.3
申请日：2006-07-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G01R33/04
CPC classification number: G01R33/04
Abstract: 提供一种具有高精度和稳定性的、制造偏差较小且可实现小型化的磁传感器的励磁线圈驱动电路。磁传感器的励磁线圈驱动电路，包括：D/A变换器(24)；同相放大器(22)，向该同相输入端子输入D/A变换器(24)的输出信号，并输出施加在磁传感器(11)的励磁线圈(112)的一端中的驱动信号(P)；和反相放大器(23)，向该同相输入端子输入D/A变换器(24)的输出信号，向该反相输入端子输入同相放大器(22)的输出，并输出施加在励磁线圈(112)的一端中的驱动信号(N)。
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公开(公告)号：CN100495927C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510095982.8
申请日：2005-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H03F3/2175 , H03M1/822
Abstract: 具备：被输入从脉宽调制电路(51)产生的PWM信号的CMOS反相器(70)；以及，被供给CMOS反相器(71)的输出的低通滤波器(53)。CMOS反相器(71)，具备：串联连接在输入电位(Vin)和接地电位(Vss)之间、且各自的栅极上被施加PWM信号的P沟道型的MOS晶体管(M1)及N沟道型的MOS晶体管(M2)；以及，与P沟道型MOS晶体管(M1)并联连接、且与P沟道型MOS晶体管一起构成CMOS传输门的N沟道型MOS晶体管(M3)。从而，即使在反相器的高电位(输入电位Vin)低时，也可不使用大规模的电路，能得到与PWM信号的占空比成比例的输出电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1932541A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610101559.9
申请日：2006-07-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G01R33/04
CPC classification number: G01R33/04
Abstract: 本发明提供一种具有高精度与稳定性，制造偏差较小且能够小型化的磁传感器的信号检测电路。磁传感器的信号检测电路具有：被输入磁传感器(11)的检测线圈(113)的输出电压的差动放大器(33)；被输入差动放大器(33)的输出的磁滞比较器(34)；以及根据磁滞比较器(34)所输出的数字信号，对在分别输出了输出电压中所含有的相邻的两个尖峰状电压间中的时钟的脉冲数进行计数的计数器(35)。
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公开(公告)号：CN1831699A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610059712.6
申请日：2006-03-03
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G05F3/10
Abstract: 在作为半导体集成电路而构成的基准电流生成电路中要得到微小的输出电流的情况下，使决定输出电流的基准电阻的面积增大。通过用由(R1、R2)构成的电阻分压电路来分配调节器(14)的输出电压，从而产生微小的基准电流。电阻分压电路可用由晶体管(Q3)构成的开关断路构成。在(R1、R2)的连接点(P)和基准电压输出端之间设置由晶体管(Q4)构成的开关，另外，将电容器(C)连接到该输出端。用控制电路(16)输出的时钟脉冲来周期性接通·截断控制(Q3、Q4)。(C)在接通时充电为基准电压，在截断时将输出端保持为基准电压。
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公开(公告)号：CN1746955A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510092798.8
申请日：2005-08-25
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 通过具备：接收表示使发光元件发光的灰度的灰度数据，当灰度数据表示的灰度为给定阈值以上时，产生基准电位(接地电位)以上的驱动电压(VDRV)，灰度数据表示的灰度小于阈值时，产生比基准电位(接地电位)低的驱动电压的电路，生成具有与使发光元件发光的灰度相对应的电压值的驱动电压(VDRV)，并通过将驱动电压(VDRV)提供给发光元件来用两侧驱动使发光元件发光。从而，能够延长元件的寿命。
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公开(公告)号：CN1744442A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510095982.8
申请日：2005-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H03F3/2175 , H03M1/822
Abstract: 具备：被输入从脉宽调制电路(51)产生的PWM信号的CMOS反相器(70)；以及，被供给CMOS反相器(71)的输出的低通滤波器(53)。CMOS反相器(71)，具备：串联连接在输入电位(Vin)和接地电位(Vss)之间、且各自的栅极上被施加PWM信号的P沟道型的MOS晶体管(M1)及N沟道型的MOS晶体管(M2)；以及，与P沟道型MOS晶体管(M1)并联连接、且与P沟道型MOS晶体管一起构成CMOS传输门的N沟道型MOS晶体管(M3)。从而，即使在反相器的高电位(输入电位Vin)低时，也可不使用大规模的电路，能得到与PWM信号的占空比成比例的输出电压。
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公开(公告)号：CN1677861A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062906.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K19/094 , H05B37/02 , G09G3/36 , G02F1/133
CPC classification number: H05B33/0815 , H03K17/063 , H03K17/687 , H03K2217/0036 , H05B33/0827
Abstract: 本发明提供一种减小用于得到发光元件的驱动电流的驱动电路的图案面积，并且谋求效率改善的驱动电路。在白色LED(25)的阳极(26)上外加正电源电压Vdd，在其阴极(27)上介由N沟道型MOS晶体管M(42)，外加从－0.5Vdd发生电路上得到的电压－0.5Vdd。－0.5Vdd发生电路(40)是根据来自时钟发生电路(30)的时钟φ，产生电压－0.5Vdd的电路。在白色LED(25)的阳极、阴极之间，外加与图6的驱动电路等价的1.5Vdd的电压。作为在－0.5Vdd发生电路(40)中多使用N沟道型MOS晶体管的结果，可使用于得到与以往同等的LED(25)的驱动电流的电路的图案面积变小。此外，由此可使寄生电容变小，实现驱动电路的效率改善。
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