公开(公告)号：CN1096729C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN97109946.4

申请日：1997-03-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 林伸彦 ,  井手大辅 ,  茨木晃

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/204 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/3432

Abstract: 一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的A1的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。

公开(公告)号：CN102725858B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180007219.9

申请日：2011-01-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井手大辅 ,  三岛孝博 ,  重松正人 ,  马场俊明 ,  森博幸 ,  森上光章 ,  菱田有二 ,  坂田仁 ,  后藤良

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，在背面接合型太阳能电池中，能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A)，包括：具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n)；具有第一导电型的第一半导体层(20n)；和具有第二导电型的第二半导体层(30p)，第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成，在背面(12)形成有槽(13)，在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n)，在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。

公开(公告)号：CN102725858A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007219.9

申请日：2011-01-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井手大辅 ,  三岛孝博 ,  重松正人 ,  马场俊明 ,  森博幸 ,  森上光章 ,  菱田有二 ,  坂田仁 ,  后藤良

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，在背面接合型太阳能电池中，能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A)，包括：具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n)；具有第一导电型的第一半导体层(20n)；和具有第二导电型的第二半导体层(30p)，第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成，在背面(12)形成有槽(13)，在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n)，在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。

公开(公告)号：CN100368906C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN02159777.4

申请日：2002-12-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浜田弘喜 ,  铃木浩司 ,  井手大辅

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L27/3279 ,  H01L51/529

Abstract: 在玻璃构成的绝缘基材上，按照从底部到顶部的顺序，叠加由钼薄膜构成的第一钼层、由铝-钕合金薄膜构成的铝导电层、由钼薄膜构成的第二钼层以及二氧化硅构成的绝缘薄膜层。

公开(公告)号：CN1255913C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02140616.2

申请日：1997-03-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 林伸彦 ,  井手大辅 ,  茨木晃

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/204 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/3432

Abstract: 一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的A1的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。

公开(公告)号：CN203232873U

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201220728482.9

申请日：2012-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 菱田有二 ,  三岛孝博 ,  森上光章 ,  井手大辅 ,  坂田仁

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型提供具有被改善了的输出特性的太阳能电池。太阳能电池（1）包括光电转换部（10）、第一电极（14n）和第二电极（15p）。第一电极（14n）配置在光电转换部（10）的一个主面（10a）上。第一电极（14n）收集多数载流子。第二电极（15p）配置在光电转换部（10）的一个主面（10a）上。第二电极（15p）收集少数载流子。当设第一电极（14n）的面积为S1、设第二电极（15p）的面积为S2时，0.3≤S2/S1＜1。