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公开(公告)号:CN1702806A
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN200510073822.3
申请日:2005-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种稳定场发射器的方法。该方法包括在场发射器的碳纳米管上执行等离子体处理。等离子体处理平坦化碳纳米管的表面,稳定碳纳米管的电流密度且增加场发射器的耐久性。