全固态二次电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN111146492B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN201911021528.6

    申请日:2019-10-25

    Inventor: 丘俊焕 姜孝郎

    Abstract: 本发明涉及全固态二次电池及其制造方法。全固态二次电池包括:负极层;正极层;固体电解质层,其插入负极层和正极层之间,并且包括第一固体电解质;和第一粘合层,其设置在正极层和固体电解质层之间,并包括第二固体电解质,其中负极层包括负极集流体和设置在该负极集流体上的负极活性材料层,并且负极活性材料层包括粘合剂和负极活性材料,其中正极层包括正极集流体和设置在该正极集流体上的正极活性材料层,并且其中第二固体电解质具有小于第一固体电解质的杨氏模量的杨氏模量。

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