-
公开(公告)号：CN107452870A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710303448.4
申请日：2017-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , H01L27/222 , H01L43/12 , H01L43/08
Abstract: 一种数据存储器件以及用于制造该数据存储器件的方法提供一种具有优异可靠性且易于制造的数据存储器件。该数据存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底；在外围电路区上的第一导电线；在衬底与第一导电线之间的外围接触插塞，外围接触插塞与第一导电线接触；在单元区上的第二导电线；在衬底与第二导电线之间的多个数据存储结构；以及在衬底与数据存储结构的每个之间以及在衬底与外围接触插塞之间的布线结构。第一导电线包括自衬底具有比第二导电线的底表面的位置更低的位置的底表面。
-
公开(公告)号：CN117062448A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310509405.7
申请日：2023-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00
Abstract: 提供了磁性存储器件和包括其的电子设备。磁性存储器件包括：顺序堆叠在第一衬底区域上的第一上绝缘层和第二上绝缘层以及第一模制层；在第一上绝缘层中沿第一方向间隔开的第一初级布线结构和第一次级布线结构；在第二上绝缘层中位于第一初级布线结构上的第二布线结构和位于第一次级布线结构上的参考布线结构；位于第二布线结构上的第一结构；位于参考布线结构上的第二结构；在第一模制层中位于第二布线结构与第一结构之间并且不位于参考布线结构与第二结构之间的下电极接触；位于第一结构上的位线结构；以及位于第二结构上的参考位线结构。第一结构和第二结构均包括下电极、MTJ结构、中间电极和上电极。
-
公开(公告)号：CN109003977B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810466873.X
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B69/00
Abstract: 集成电路器件可包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的可变电阻存储器区交叠；以及选择晶体管，包括设置在所述衬底的可变电阻存储器区中的选择源极/漏极区。所述选择源极/漏极区可电连接到所述可变电阻元件。所述衬底可包括面对所述单元栅极电极及所述可变电阻元件的上表面，且所述衬底的上表面可从所述闪速存储器区连续地延伸到所述可变电阻存储器区。
-
公开(公告)号：CN114864627A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210025567.9
申请日：2022-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 磁存储设备包括在衬底的第一区域上具有第一模制绝缘膜的衬底和在该衬底上的第一结构。第一结构包括下电极、下电极上的磁隧道结(MTJ)结构、以及MTJ结构上的上电极。设置封盖膜，该封盖膜在第一模制绝缘膜和第一结构的侧壁上延伸。在第一结构和封盖膜上设置第一蚀刻停止层。设置第二模制绝缘膜，该第二模制绝缘膜至少部分地填充封盖膜和第一蚀刻停止层之间的空间。设置第一金属结构，该第一金属结构延伸穿过第一蚀刻停止层的一部分和第二模制绝缘膜的一部分，并且电耦合到MTJ结构。
-
公开(公告)号：CN110718568A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910618600.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22
Abstract: 一种磁存储器件包括：包括单元区和外围电路区的基板；第一层间绝缘层，覆盖基板的单元区和外围电路区；在第一层间绝缘层中的互连线；外围导线和外围导电接触，在外围电路区上的第一层间绝缘层上，外围导电接触在外围导线与互连线中的相应一条互连线之间；底电极接触，在单元区上的第一层间绝缘层上并且连接到互连线中的相应一条互连线；以及在底电极接触上的数据存储图案，其中外围导线处于底电极接触的顶表面与底电极接触的底表面之间的高度处。
-
公开(公告)号：CN119173044A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410165213.3
申请日：2024-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：下电介质层，其位于衬底上；数据存储图案，其位于所述下电介质层上并在第一方向和第二方向上彼此间隔开；单元电介质层，其位于所述下电介质层上并且位于所述数据存储图案上；空隙，其位于所述单元电介质层中并且位于所述数据存储图案中的数据存储图案之间；上导电接触，其分别位于所述数据存储图案上并在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；以及上导电线，其位于所述上导电接触上并且在所述第二方向上彼此间隔开并在所述第一方向上延伸。所述上导电线中的每一条上导电线可以电连接到所述上导电接触中的相应上导电接触。所述上导电接触中的相应上导电接触可以在所述第一方向上彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN119012709A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311785022.9
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李吉镐
IPC: H10B61/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和外围区域；布线结构，在单元区域和外围区域上；下绝缘层，在单元区域和外围区域上的布线结构上；数据存储图案，在单元区域上的下绝缘层上；单元绝缘层，在单元区域上的下绝缘层上，并且覆盖数据存储图案，单元绝缘层包括单元延伸部，单元延伸部沿第一方向在外围区域上的下绝缘层上方延伸，单元延伸部沿第二方向彼此间隔开；以及外围绝缘层，在外围区域上的下绝缘层上，并且包括与单元绝缘层的材料不同的材料。外围绝缘层在单元延伸部之间延伸，并且与单元绝缘层的侧表面接触。
-
公开(公告)号：CN109087930B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201810600478.6
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括第一存储器区段以及第二存储器区段。第一存储器区段设置在衬底上。第二存储器区段垂直堆叠在第一存储器区段上。第一存储器区段设置在衬底与第二存储器区段之间。第一存储器区段包括闪存单元结构，且第二存储器区段包括可变电阻存储单元结构。闪存单元结构包括：至少一个单元串，包括串联连接到彼此的多个第一存储单元；以及位线，位于衬底上且连接到至少一个单元串。位线在垂直方向上夹置在至少一个单元串与第二存储器区段之间且连接到第二存储器区段。
-
公开(公告)号：CN109524541B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811087711.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。
-
公开(公告)号：CN109037433B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201810586433.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。
