公开(公告)号：CN105449273B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201510598780.9

申请日：2015-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙键 ,  梁有盛 ,  崔烘铢 ,  李济男 ,  张元硕

IPC: H01M10/0565 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明涉及电解质、制备该电解质的方法和含该电解质的锂二次电池。所述电解质包括：共聚物，所述共聚物包括：(i)所述共聚物的包括离子传导性链段的离子传导性畴，其中所述离子传导性链段包括多个离子传导性单元，和(ii)所述共聚物的包括结构性链段的结构性畴，其中所述结构性链段包括多个结构性单元，其中所述离子传导性畴和所述结构性畴共价连接；以及与所述离子传导性畴结合的聚合物网络相。

公开(公告)号：CN106159313A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610320025.9

申请日：2016-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁准善 ,  梁有盛 ,  姜孝郎

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/134

Abstract: 提供锂金属电池，其包括：正极、锂负极、设置在所述正极和所述锂负极之间的液体电解质、和设置于所述锂负极的至少一部分上并且包括选自聚(乙烯醇)和聚(乙烯醇)共混物的至少一种第一聚合物的保护层。所述保护层具有在25℃的温度下约10.0MPa或更大的拉伸模量、在25℃的温度下约50％或更大的伸长率、和在25℃的温度下约5.0MPa或更大的剥离强度。

公开(公告)号：CN116412914A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211036960.4

申请日：2022-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇明 ,  宋炳权 ,  梁有盛 ,  李斗铉 ,  李丙圭

IPC: G01J5/20 ,  G01J5/22 ,  G01J5/02

Abstract: 一种红外传感器，包括：第一磁阻单元；第二磁阻单元；以及光吸收层，吸收光并发射热，其中，第一磁阻单元包括彼此电连接的第一磁阻元件和第二磁阻元件，第二磁阻单元包括彼此电连接的第三磁阻元件和第四磁阻元件，第一磁阻元件和第三磁阻元件各自具有磁化方向的反平行状态，第二磁阻元件和第四磁阻元件各自具有磁化方向的平行状态，并且第一磁阻元件通过第二磁阻元件电连接到第三磁阻元件。

公开(公告)号：CN106058311B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201610202112.4

申请日：2016-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙键 ,  梁有盛 ,  张元硕 ,  崔烘铢

IPC: H01M10/0565 ,  H01M10/0525

Abstract: 提供了用于锂二次电池的电解质和包括所述电解质的锂二次电池，其中所述电解质包括包含结构性畴和橡胶畴的嵌段共聚物，其中所述结构性畴包括嵌段共聚物的结构性嵌段，所述橡胶畴包括嵌段共聚物的橡胶嵌段，所述结构性嵌段包括多个结构性重复单元，并且所述橡胶嵌段包括多个橡胶重复单元。

公开(公告)号：CN106058311A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610202112.4

申请日：2016-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙键 ,  梁有盛 ,  张元硕 ,  崔烘铢

IPC: H01M10/0565 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M10/0565 ,  H01M10/0525 ,  H01M2300/0085

Abstract: 提供了用于锂二次电池的电解质和包括所述电解质的锂二次电池，其中所述电解质包括包含结构性畴和橡胶畴的嵌段共聚物，其中所述结构性畴包括嵌段共聚物的结构性嵌段，所述橡胶畴包括嵌段共聚物的橡胶嵌段，所述结构性嵌段包括多个结构性重复单元，并且所述橡胶嵌段包括多个橡胶重复单元。

公开(公告)号：CN105449273A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510598780.9

申请日：2015-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙键 ,  梁有盛 ,  崔烘铢 ,  李济男 ,  张元硕

IPC: H01M10/0565 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明涉及电解质、制备该电解质的方法和含该电解质的锂二次电池。所述电解质包括：共聚物，所述共聚物包括：(i)所述共聚物的包括离子传导性链段的离子传导性畴，其中所述离子传导性链段包括多个离子传导性单元，和(ii)所述共聚物的包括结构性链段的结构性畴，其中所述结构性链段包括多个结构性单元，其中所述离子传导性畴和所述结构性畴共价连接；以及与所述离子传导性畴结合的聚合物网络相。

公开(公告)号：CN102050949B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201010543486.5

申请日：2010-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑暎锡 ,  金相模 ,  孙炳熙 ,  梁有盛 ,  赵垠锡

IPC: C08G77/26 ,  C08L79/08 ,  C08L77/10 ,  C08L77/00 ,  C08L75/04 ,  C08L83/08

CPC classification number: G02B1/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/18 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08J5/18 ,  C08J2379/08 ,  C08L75/04 ,  C08L77/00 ,  C08L77/10 ,  C08L79/08 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明涉及有机硅酸酯化合物及包括其的组合物和膜。所述有机硅酸酯化合物由以下化学式1表示。在化学式1中，各取代基如具体的说明书中所定义的。化学式1

公开(公告)号：CN102050949A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010543486.5

申请日：2010-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑暎锡 ,  金相模 ,  孙炳熙 ,  梁有盛 ,  赵垠锡

IPC: C08G77/26 ,  C08L79/08 ,  C08L77/10 ,  C08L77/00 ,  C08L75/04 ,  C08L83/08

CPC classification number: G02B1/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/18 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08J5/18 ,  C08J2379/08 ,  C08L75/04 ,  C08L77/00 ,  C08L77/10 ,  C08L79/08 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明涉及有机硅酸酯化合物及包括其的组合物和膜。所述有机硅酸酯化合物由以下化学式1表示。在化学式1中，各取代基如具体的说明书中所定义的。化学式1

公开(公告)号：CN115979429A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202210506328.5

申请日：2022-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丙圭 ,  金镇明 ,  宋炳权 ,  梁有盛 ,  李斗铉 ,  朱爀

IPC: G01J5/20 ,  G01J5/24

Abstract: 提供了一种长波红外(LWIR)传感器，包括：衬底、所述衬底上的磁阻器件、以及所述磁阻器件上的LWIR吸收层，其中，所述磁阻器件的电阻基于温度而变化，并且其中，所述LWIR吸收层被配置为吸收LWIR光线并生成热量。

公开(公告)号：CN115966577A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210432874.9

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  金镇明 ,  宋炳权 ,  梁有盛 ,  李丙圭

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 一种窗口组件包括：透明窗口层；以及被设置在所述窗口层的第一表面上的第一编码掩模层，所述第一编码掩模层具有被配置为改变穿过所述窗口组件的光的第一性质的第一形状。所述第一编码掩模层可以包括：包括相位调制超图案的超表面。所述超表面还可以包括幅度调制超图案。具有被配置为改变穿过所述窗口组件的光的第二性质的第二形状的第二编码掩模层还可以被设置在所述窗口层的第二表面上。