公开(公告)号：CN102738342B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201210086655.6

申请日：2012-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白好善 ,  金学焕 ,  吴承璟

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括：具有第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构；位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层；位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁；穿透所述多个绝缘壁的多个N型电极层；以及导电衬底，在所述导电衬底中分别对应于所述多个N型电极层的多个N型电极连接层与对应于所述P型电极层的P型电极连接层分开。