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公开(公告)号：CN115241231A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210429808.6
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32
Abstract: 公开光吸收传感器、嵌入有传感器的显示面板和电子设备。所述嵌入有传感器的显示面板包括：基板、在所述基板上并且包括光发射层的光发射元件、和在所述基板上并且包括光吸收层的光吸收传感器，所述光吸收层沿着所述基板的面内方向与所述光发射层平行地布置。所述光吸收层配置成吸收红色波长谱、绿色波长谱、蓝色波长谱、或其任意组合的光。所述光发射层包括第一有机材料并且所述光吸收层包括第二有机材料。所述第一和第二有机材料的相应升华温度之间的差值小于或等于约150℃，其中各升华温度为在约10Pa或更小的环境压力下的热重分析期间发生相对于初始重量的10％的重量减小时的温度。
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公开(公告)号：CN118852161A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410515423.0
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 化合物以及包括所述化合物的光电器件、图像传感器和电子设备，所述化合物由化学式1表示，并且X1和X2的至少一个为具有范围约900玻尔3至约3000玻尔3(V/分子)的体积的取代基。在化学式1中，各取代基与详细说明中所定义的相同。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118221695A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311753450.3
申请日：2023-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/04 , C07D495/14 , C07D517/14 , C07F7/30 , C07F7/08 , C07D495/10 , C07D495/22 , C07D519/00 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K30/60 , H10K39/34
Abstract: 提供化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1A或1B表示，所述光电器件、光吸收传感器、和电子设备包括所述混合物。化学式1A和1B的细节如详细的说明书中所描述的。[化学式1A]#imgabs0#[化学式1B]#imgabs1#
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公开(公告)号：CN118175910A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311671984.1
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备。所述光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光吸收层，其中所述光吸收层配置成吸收红色波长谱、绿色波长谱、蓝色波长谱、红外波长谱、或其任意组合的光，所述光吸收层包括p型半导体和n型半导体，并且所述n型半导体包括由化学式1表示的化合物。对于化学式1的细节如详细的说明书中所描述的。
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公开(公告)号：CN117156917A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310613541.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了嵌入有传感器的显示面板和电子设备，所述电子设备包括所述嵌入有传感器的显示面板。所述嵌入有传感器的显示面板可包括在基板上的光发射元件和光电传感器。所述光发射元件可包括光发射层并且所述光电传感器可包括沿着所述基板的面内方向与所述光发射层平行的光敏层。所述光发射元件和所述光电传感器包括第一公共辅助层的相应部分。所述第一公共辅助层可为沿着所述基板的面内方向且在所述光发射层和所述光敏层的每一个下面连续的。所述光敏层可包括含有氟的p‑型半导体和非富勒烯n‑型半导体。所述非富勒烯n‑型半导体可与所述p‑型半导体形成pn结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115872990A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211209999.1
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/04 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D471/14 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07D513/04 , C07D517/04 , C07D517/16 , C07D517/22 , C07F7/08 , C07F7/30 , H10K85/40 , H10K85/60 , H10K30/60
Abstract: 公开有机化合物、传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述有机化合物由化学式1表示。在化学式1中，X1、X2、Ar1、n、R1、R2、A1和A2各自与说明书中相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN118852198A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410514235.6
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/16 , C07D495/22 , C07F7/10 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K30/60 , H10K39/32
Abstract: 提供化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。所述化合物具有小于或等于约0.191eV的重组能和小于或等于约500nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各基团的定义如说明书中所描述的。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118546157A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410207623.X
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/16 , H10K30/60 , H10K39/34 , H10K39/32 , C07D513/16 , C07F7/08 , H10K85/60 , H10K85/40 , G01N21/27
Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1表示并且具有小于约0.163eV的化合物的重组能和小于或等于约495nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各取代基的限定如说明书中所描述的。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117939899A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311396769.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开传感器、传感器阵列、显示面板和电子设备。所述传感器可包括反射性电极、在所述反射性电极上并且包括一种或多种光电转换材料的光电转换层、在所述光电转换层上的半透射性电极、在所述半透射性电极上的光透射缓冲层、和在所述光透射缓冲层上的半透射性辅助层。
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