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公开(公告)号：CN114628390A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111186310.3
申请日：2021-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以具有：基底，包括存储器单元区域中的有源区和外围区域中的逻辑有源区；元件隔离结构，位于有源区与逻辑有源区之间；绝缘层图案，覆盖有源区；以及支撑绝缘层。绝缘层图案可以包括沿着元件隔离结构延伸的延伸部分，可以与元件隔离结构间隔开，并且可以悬于元件隔离结构之上。支撑绝缘层可以填充限定在延伸部分与元件隔离结构之间的凹陷空间。
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