公开(公告)号：CN118259545A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311456231.9

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  南煐敏 ,  安赞在 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  崔诚原 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法。所述抗蚀剂组合物可包括由下式1表示的有机金属化合物和由下式2表示的重复单元的聚合物。在式1和2中，M11、R11、R12、n、A21、L21‑L24、a21‑a24、R21、R22、b22、p、和X21的描述参考说明书。 M11(R11)n(OR12)(4‑n) #imgabs0#。

公开(公告)号：CN111666224B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202010134718.5

申请日：2020-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昶宪 ,  文胜道

IPC: G06F12/02

Abstract: 提供了一种电子装置和用于利用电子装置的存储器空间的方法，所述电子装置可包括：显示器；存储器，包括未存储数据的第一空间和存储数据的第二空间；以及处理器。处理器可被配置为控制电子装置进行以下操作：接收用于输入存储器的快速数据存储模式的设置值的输入，基于快速数据存储模式的设置值，将电子装置的文件系统的预定大小的自由空间分配为用于快速数据存储模式的临时存储器空间，控制存储器将预定大小的第一空间分配为与临时存储器空间的大小相应的用于快速数据存储模式的借用空间，识别通过快速数据存储模式开始数据存储的事件的发生，并且响应于所述事件的发生，控制存储器通过快速数据存储模式使用借用空间执行数据存储。

公开(公告)号：CN111666224A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010134718.5

申请日：2020-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昶宪 ,  文胜道

IPC: G06F12/02

Abstract: 提供了一种电子装置和用于利用电子装置的存储器空间的方法，所述电子装置可包括：显示器；存储器，包括未存储数据的第一空间和存储数据的第二空间；以及处理器。处理器可被配置为控制电子装置进行以下操作：接收用于输入存储器的快速数据存储模式的设置值的输入，基于快速数据存储模式的设置值，将电子装置的文件系统的预定大小的自由空间分配为用于快速数据存储模式的临时存储器空间，控制存储器将预定大小的第一空间分配为与临时存储器空间的大小相应的用于快速数据存储模式的借用空间，识别通过快速数据存储模式开始数据存储的事件的发生，并且响应于所述事件的发生，控制存储器通过快速数据存储模式使用借用空间执行数据存储。