-
公开(公告)号:CN100520959C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN03155508.X
申请日:2003-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1012 , G11C7/06 , G11C7/1045 , G11C11/4076 , G11C11/408 , G11C11/4087 , G11C11/4097
Abstract: 本发明涉及具有9的倍数位的数据输入/输出结构的半导体存储装置。该存储装置具有多个存储器阵列,在一个实施例中,具有奇数个存储器阵列。该阵列被划分成块,而该块被划分为段。一控制电路将控制信号提供给该存储器阵列,以便向该存储装置输入和/或从该存储装置中输出9的倍数位的数据。该数据位同时输入或输出,而不需要采用多路复用电路。从而减少了耗电量并且提高了存储器的处理速度。本发明还提供在半导体装置中处理数据的方法。
-
公开(公告)号:CN1469392A
公开(公告)日:2004-01-21
申请号:CN03148784.X
申请日:2003-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 朴哲成
IPC: G11C15/04
CPC classification number: G11C15/04
Abstract: 一种三元内容可寻址存储器(TCAM),具有在多行和多列上排列的单元阵列,其中每个单元均包括:主存储单元,用于存储数据位及其补码,以及一对位线,用于输送数据位及其补码;比较电路,具有一对比较线和一个输出节点,比较电路连接到[数据]主存储单元,用于将数据位及其补码与相应比较线进行比较,并且在输出节点输出比较信号;匹配电路,连接到比较电路的输出节点、匹配输入线和匹配输出线,匹配电路用于根据比较信号选择性地将匹配输入线连接到匹配输出线;屏蔽存储单元,用于存储和输出屏蔽数据;以及屏蔽电路,连接到匹配电路、匹配输入线和匹配输出线,用于根据屏蔽数据,屏蔽比较信号,或者选择性将匹配输入线连接到匹配输出线。
-