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公开(公告)号：CN103811603A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310567368.1
申请日：2013-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括由III族氮化物半导体配置的基底层、形成在基底层的III族元素极性表面上的极性修改层、以及形成在极性修改层上的具有多层结构的III族氮化物半导体的发光叠层，该多层结构中的至少一层的上表面由N极性表面形成。
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