公开(公告)号：CN116314220A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211637014.5

申请日：2022-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜正淳 ,  严昌镕 ,  李汀镇

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：第一半导体衬底；光电转换区，所述光电转换区位于所述第一半导体衬底中；和埋置绝缘膜，所述埋置绝缘膜位于所述第一半导体衬底上。所述埋置绝缘膜覆盖所述第一半导体衬底的第一区域并且暴露所述第一半导体衬底的第二区域。所述传感器包括：第二半导体衬底，所述第二半导体衬底位于所述埋置绝缘膜上；操作栅极结构，所述操作栅极结构在所述第二半导体衬底中限定第一导电类型的第一沟道；和转移栅极结构，所述转移栅极结构在所述第一半导体衬底的所述第二区域中限定不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二沟道。

公开(公告)号：CN115706122A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210556608.7

申请日：2022-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜正淳 ,  金珉宽 ,  蒋玟澔

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括在第一方向上彼此相邻的第一像素域和第二像素域，所述第一像素域包括第一像素并且所述第二像素域包括第二像素；第一滤色器，所述第一滤色器设置在所述衬底的第一表面上，并与所述第一像素垂直地交叠；第一微透镜，所述第一微透镜设置在所述第一滤色器和每个所述第一像素上；以及第二微透镜，所述第二微透镜设置在所述衬底的所述第一表面上，并与每个所述第二像素的至少一部分垂直地交叠，其中，所述第二微透镜的第二折射率大于所述第一微透镜的第一折射率，其中，所述第一微透镜的最上部分与所述第二微透镜的最上部分之间的水平高度差小于等于所述第一微透镜的最大高度的大约2％。