公开(公告)号：CN111223985A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911099462.2

申请日：2019-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  金晥均

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括：磁隧道结图案，设置在基板上并包括顺序地堆叠的自由层、隧道势垒层和被钉扎层；以及第一自旋轨道转矩(SOT)线，与磁隧道结图案的自由层的第一侧壁接触。

公开(公告)号：CN111180577A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910733388.9

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  皮雄焕 ,  卢恩仙 ,  朴容星

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。

公开(公告)号：CN111077114A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910999098.9

申请日：2019-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙

IPC: G01N21/47 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种磁性质测量系统、测量磁性质的方法和使用其制造磁存储器件的方法，其中该磁性质测量系统包括配置为保持样品的平台和设置在平台上方的磁结构。该平台包括主体部分、邻近主体部分的磁性部分以及在主体部分中限定的多个孔。平台的磁性部分和磁结构配置为将垂直于样品的一个表面的磁场施加到样品。平台配置为在平行于样品的所述一个表面且彼此垂直的第一方向和第二方向上水平地移动。

公开(公告)号：CN111077114B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201910999098.9

申请日：2019-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙

IPC: G01N21/47 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种磁性质测量系统、测量磁性质的方法和使用其制造磁存储器件的方法，其中该磁性质测量系统包括配置为保持样品的平台和设置在平台上方的磁结构。该平台包括主体部分、邻近主体部分的磁性部分以及在主体部分中限定的多个孔。平台的磁性部分和磁结构配置为将垂直于样品的一个表面的磁场施加到样品。平台配置为在平行于样品的所述一个表面且彼此垂直的第一方向和第二方向上水平地移动。

公开(公告)号：CN111312745B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201911232220.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩(SOT)结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。

公开(公告)号：CN115207209A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210324734.X

申请日：2022-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  李俊明 ,  郑峻昊 ,  卢恩仙 ,  朴正宪 ,  赵泳俊

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底；顺序地堆叠在衬底上的第一磁图案和第二磁图案；第一磁图案与第二磁图案之间的隧道势垒图案；衬底与第一磁图案之间的底部电极；底部电极与第一磁图案之间的种子图案；以及底部电极与种子图案之间的至少一个扩散势垒图案，其中：至少一个扩散势垒图案的底表面接触底部电极的顶表面，并且至少一个扩散势垒图案的顶表面接触种子图案的底表面，至少一个扩散势垒图案包括非磁金属、或者非磁金属和非金属元素的合金，并且非磁金属包括Ta、W、Nb、Ti、Cr、Zr、Hf、Mo、Al、Mg或V。

公开(公告)号：CN112501563A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010861459.6

申请日：2020-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙 ,  朴正宪 ,  郑峻昊

IPC: C23C14/34 ,  H01L43/12

Abstract: 可以提供一种溅射装置以及制造磁存储器件的方法，该溅射装置包括：腔室；气体供应源，配置为向腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，第一惰性气体和第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中第一蒸发点高于第二蒸发点；多个溅射枪，在腔室的上部中；卡盘，在腔室的下部中并面对所述多个溅射枪，卡盘配置为在其上容纳衬底；以及冷却单元，连接到卡盘的下部，该冷却单元配置为将卡盘冷却至低于第一蒸发点且高于第二蒸发点的温度。

公开(公告)号：CN109935682A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811398018.6

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  吴世忠 ,  尹相俊 ,  金哉勋 ,  南坰兑 ,  卢恩仙

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。

公开(公告)号：CN107681046A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710650619.0

申请日：2017-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/22 ,  H01L27/222 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14

Abstract: 本公开涉及磁存储器件。一种磁存储器件可以包括第一电极以及与第一电极间隔开的第一磁结构，其中第一磁结构可以在其中包括磁图案。氧化非磁图案可以被安置在第一磁结构与第一电极之间，其中氧化非磁图案可以包括非金属元素，所述非金属元素具有比约Fe的氧化物形成标准自由能更小的氧化物形成标准自由能。