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公开(公告)号：CN118796096A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311547862.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置以及运行该存储装置的方法。所述存储装置包括：非易失性存储器件，均包括多个存储块；存储器控制器，控制所述非易失性存储器件；以及缓冲存储器，缓冲要被写入在所述非易失性存储器件中的数据。在准时擦除操作中，所述存储器控制器控制所述非易失性存储器件，使得在每个所述非易失性存储器件的存储块中执行擦除操作。当满足早期擦除条件时，所述存储器控制器在所述非易失性存储器件当中选择非易失性存储器件，并且控制所选择的非易失性存储器件，使得在所选择的非易失性存储器件的存储块中执行所述擦除操作。当所述缓冲存储器的空闲容量小于第一阈值时，所述存储器控制器确定满足所述早期擦除条件。
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公开(公告)号：CN109712659B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201811173830.9
申请日：2018-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备及其动态无用单元收集方法。所述方法包括：接收最小操作速度；使用最大操作速度、所述最小操作速度和无用单元收集速度，定出参考有效页计数(VPC)比率，所述参考VPC比率是按下式1定出的；以及使用所述参考VPC比率和当前平均VPC比率，确定是否执行无用单元收集。Cp＝Gp×(Jp‑Mp)/(Jp×Mp+(Gp×(Jp‑Mp)))(式1)其中，Cp是所述参考VPC比率，Gp是所述无用单元收集速度，Jp是所述最大操作速度，Mp是所述最小操作速度。
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公开(公告)号：CN114995742A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111404294.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了与主机和存储区域通信的存储控制器及其操作方法。所述方法包括：从所述主机接收对所述存储区域中的第一存储区域的写入请求；基于状态信息集确定所述第一存储区域不可用；生成指示选择所述存储区域中的第二存储区域而非所述第一存储区域的重定向信息；基于所述重定向信息在所述第二存储区域中执行写入操作；基于所述写入操作来更新所述状态信息集中的所述第二存储区域的状态信息；向所述主机输出指示所述写入请求的写入数据在所述第二存储区域中被处理的重定向结果信息；以及从所述主机接收与所述写入数据对应并包括所述第二存储区域的信息的读取请求。
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公开(公告)号：CN112306398A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010749328.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供存储装置及其操作方法。该操作方法包括：存储包括目标节流性能与关于工作负载特性的信息之间的关系的节流预定义表(PDT)；检测工作负载特性中的第一工作负载特性的值在存储装置的操作期间已经改变；确定是否更新节流PDT；当确定更新节流PDT时，监视存储装置的性能以计算监视性能；基于包括计算的监视性能和第一工作负载特性的改变后的值的第一信息将节流PDT更新为包括附加目标节流性能值和用于工作负载特性的至少一个新值；基于更新的节流PDT控制操作参数使接口通道具有与附加目标节流性能值对应的第一节流性能；通过具有第一节流性能的接口通道接收第一输入/输出(I/O)请求；通过具有第一节流性能的接口通道处理与第一I/O请求对应的第一操作。
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公开(公告)号：CN118466829A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410174219.7
申请日：2024-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 丁相元
Abstract: 一种存储控制器，包括：内部事件监测电路，用于检测内部事件，该内部事件在存储控制器中独立地执行；持续时间计算电路，用于基于分配比率来计算内部事件的预期处理时间；延迟映射表，用于针对分配比率输出处理内部事件时的预期延迟；以及更新电路，用于生成多延迟信息，并且向主机提供该多延迟信息，其中，多延迟信息包括表示内部事件的指示符、以及与分配比率相对应的预期处理时间和预期延迟，每个分配比率表示为处理内部事件而分配的资源与为处理由主机请求的命令而分配的资源的比率,并且存储控制器被配置为基于由主机选择的分配比率来分配用于处理命令和内部事件的资源。
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公开(公告)号：CN112306398B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010749328.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供存储装置及其操作方法。该操作方法包括：存储包括目标节流性能与关于工作负载特性的信息之间的关系的节流预定义表(PDT)；检测工作负载特性中的第一工作负载特性的值在存储装置的操作期间已经改变；确定是否更新节流PDT；当确定更新节流PDT时，监视存储装置的性能以计算监视性能；基于包括计算的监视性能和第一工作负载特性的改变后的值的第一信息将节流PDT更新为包括附加目标节流性能值和用于工作负载特性的至少一个新值；基于更新的节流PDT控制操作参数使接口通道具有与附加目标节流性能值对应的第一节流性能；通过具有第一节流性能的接口通道接收第一输入/输出(I/O)请求；通过具有第一节流性能的接口通道处理与第一I/O请求对应的第一操作。
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公开(公告)号：CN115016982A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210212620.6
申请日：2022-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/14
Abstract: 公开了一种用于存储器存储装置的方法、一种操作主机装置的方法和一种操作存储器存储装置的方法。该存储器存储装置能够改进存储器系统的可靠性。该存储器存储装置包括存储器控制器和连接到存储器控制器的非易失性存储器。该用于存储器存储装置的方法包括：由存储器控制器从主机装置接收命令，该命令请求由于存储器存储装置的系统关机导致的丢失LBA(逻辑块地址)信息；响应于该命令，由存储器控制器提供丢失LBA信息；以及由存储器控制器接收与丢失LBA信息对应的恢复数据，其中，丢失LBA信息包括由于系统关机而丢失的LBA的数量、由于系统关机而丢失的LBA列表以及对由于系统关机而丢失的先前的LBA列表的删除中的至少一个。
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公开(公告)号：CN109712659A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811173830.9
申请日：2018-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备及其动态无用单元收集方法。所述方法包括：接收最小操作速度；使用最大操作速度、所述最小操作速度和无用单元收集速度，定出参考有效页计数(VPC)比率，所述参考VPC比率是按下式1定出的；以及使用所述参考VPC比率和当前平均VPC比率，确定是否执行无用单元收集。Cp＝Gp×(Jp-Mp)/(Jp×Mp+(Gp×(Jp-Mp)))(式1)其中，Cp是所述参考VPC比率，Gp是所述无用单元收集速度，Jp是所述最大操作速度，Mp是所述最小操作速度。
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公开(公告)号：CN107845394A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710482651.2
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0613 , G06F3/0673 , G06F13/00 , G06F2212/70 , G11C7/1084 , G11C7/22 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3495 , G11C2211/5641 , G11C7/109 , G11C8/08
Abstract: 一种存储装置及操作存储装置的方法。所述存储装置包括第一存储区及第二存储区。所述方法包括：响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及，以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区。所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。
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公开(公告)号：CN105549898A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510706343.4
申请日：2015-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0253 , G06F3/0611
Abstract: 本发明涉及一种用于操作数据存储装置的方法，包括步骤：接收包括从主机发送的设置位的第一命令；响应于所述第一命令，在寄存器中存储所述设置位；从主机接收第一状态查询命令；以及基于所述第一状态查询命令和存储在寄存器中的所述设置位向主机发送响应，所述响应包括所述数据存储装置的状态信息和对应于针对所述数据存储装置的写入命令的处理信息。本发明还涉及一种用于操作移动计算装置的方法和一种用于操作主机的方法。
