公开(公告)号：CN110676289A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910588462.2

申请日：2019-07-02

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 孙世完 ,  高武恂 ,  朴永祐 ,  安珍星 ,  禹珉宇 ,  尹柱元 ,  李圣俊 ,  李旺宇 ,  李廷洙 ,  李知嬗 ,  池得明

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12

Abstract: 一种显示装置包括：基板；第一薄膜晶体管，包括位于基板上的第一半导体层以及位于第一半导体层上的第一栅电极，第一栅电极通过第一栅绝缘层与第一半导体层绝缘；覆盖第一栅电极的有机层间绝缘层；位于有机层间绝缘层上的第一导电层；第一接触孔，通过穿过有机层间绝缘层和第一栅绝缘层暴露第一半导体层的顶部；以及从基板的顶表面突出的第一突出部分，位于基板与第一半导体层之间，第一突出部分与第一接触孔相对应，其中第一导电层通过第一接触孔接触第一半导体层。

公开(公告)号：CN109545130A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811107653.4

申请日：2018-09-21

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李廷洙 ,  高武恂 ,  禹珉宇 ,  尹柱元 ,  池得明

IPC: G09G3/3208

Abstract: 本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括多个像素。每个像素包括：第一晶体管，包括第一栅电极、第一源区和第一漏区；第二晶体管，连接至第一晶体管的第一源区；第三晶体管，连接至第一晶体管的第一栅电极和第一漏区；第五晶体管，连接至第一晶体管的第一源区；以及第六晶体管，连接至第一晶体管的第一漏区。所述像素包括设置为彼此邻近的第一像素和第二像素。第一像素和第二像素共享连接至第一像素的第三晶体管和第二像素的第三晶体管的第四晶体管，并且共享连接至第一像素的第六晶体管和第二像素的第六晶体管的第七晶体管。

公开(公告)号：CN108694905A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810225604.4

申请日：2018-03-19

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 尹柱元 ,  高武恂 ,  李圣俊 ,  池得明

IPC: G09G3/3208

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2340/0435 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5203 ,  G09G3/3208

Abstract: 提供了一种具有改善的显示品质的有机发光显示装置及其驱动方法，所述有机发光显示装置可包括与扫描线和数据线结合的像素。像素中的每个可包括被构造成存储供应到数据线的数据信号的存储单元。存储单元的电容可根据驱动频率来改变。

公开(公告)号：CN104465783A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410487992.5

申请日：2014-09-22

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金东朝 ,  李知嬗 ,  池得明 ,  姜闰浩 ,  金暻鍱 ,  金柄范 ,  朴俊龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；氧化物半导体层，设置在基板上；源电极和漏电极，每个连接到氧化物半导体层并关于氧化物半导体层彼此面对；绝缘层，设置在氧化物半导体层上；以及栅电极，设置在绝缘层上。绝缘层包括第一层、第二层和第三层，其中第一层包括硅氧化物(SiOx)，第二层是氢阻挡层，第三层包括硅氮化物(SiNx)。第一层、第二层和第三层被顺序地堆叠。