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公开(公告)号：CN208045488U
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201820361998.1
申请日：2018-03-16
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 青木宏宪
IPC: H01L23/498
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备，即使层间绝缘膜的厚度较厚时，由于不需要在绝缘膜的贯通孔内连接第1电极和第2电极，因此不需要增大第1电极的宽度，从而能够减小半导体装置的尺寸，并且，由于第1电极和第2电极的在绝缘膜的上方具有较大的连接面积，从而也不会出现由于层间绝缘膜的蚀刻残留而使得第1电极和第2电极的连接不良的情况。
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