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公开(公告)号：CN100490284C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN03801979.5
申请日：2003-01-08
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M3/1563 , H02M2001/0009 , H02M2001/4275 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 本发明是关于一种功率因数改善变换器及其控制方法。升压量检测部(103)检测电感器(L11)的升压量。控制部(106)的运算放大器(113)将升压量检测部(103)检测出的升压量与基准电压(ES12)进行比较。在从交流电源(100)供给的供给电压下降时，如果输出电压不变化，则升压量检测部(103)检测的升压量增大。在升压量检测信号的信号电平比基准电压(ES12)高时，控制部(106)使转换电流的目标电平降低。通过降低转换电流的目标电平，输出电压降低，减少升压造成的能量损耗。
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公开(公告)号：CN101420180A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810172923.X
申请日：2005-11-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33507
Abstract: 本发明涉及一种开关电源器件。根据电阻器(41)和光电耦合器的光接收元件(42)之间的节点处的目标电压(Vm)设置N沟道MOS晶体管(33)的导通持续时间。比较器(44)比较目标电压(Vm)与可变电阻器(38)和电阻器(45)之间的节点处的参考电压(Vb)。根据比较器(44)的输出信号将正常模式和低频操作模式从一种切换到另一种。当来自电源(30)的输入电压为高时可变电阻器(38)的电阻变低。因此，甚至当输入电压为高时，在正常模式和低频操作模式之间转换时N沟道MOS晶体管(33)的导通持续时间变短。这减小了低频操作模式下的开关能量，由此抑制噪声。
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公开(公告)号：CN101212856A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710300552.4
申请日：2007-12-24
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H05B41/24
CPC classification number: H05B41/2858 , Y02B20/186
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极荧光灯逆变器装置，包括：连接到直流电源并包括第一开关元件和第二开关元件的串联电路；连接在第一开关元件和第二开关元件的连接点与直流电源之间并包括变压器的初级绕组、电抗器和电容器的串联电路；连接到变压器的次级绕组的冷阴极荧光灯；电流检测器，连接到该冷阴极荧光灯和该次级绕组，用于检测流过冷阴极荧光灯的电流值；和根据所检测的电流值交替地接通/断开第一和第二开关元件的控制器，该电流检测器检测直流电源中的波动成分，和根据所检测波动成分校正冷阴极荧光灯的电流。
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公开(公告)号：CN101355312B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200810135825.9
申请日：2008-07-15
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 臼井浩
CPC classification number: H02M1/4225 , Y02B70/126
Abstract: 本发明提供一种AC-DC变换器，其可以从工业电源的一般插座取得电力，并且是可以应对更高的峰值功率的廉价的AC-DC变换器。该AC-DC变换器具备：对从电流电源(AC)供给的交流进行整流的整流器(DB)；与整流器的输出侧相连，改善功率因数的功率因数改善电路(11)；将从功率因数改善电路输出的电压变换为其它电压，并且将功率或电流限制为预定值来进行输出的DC-DC变换器(12)；积蓄能量的电容器；一个输入输出端子与DC-DC变换器的输出端子相连，另一个输入输出端子与电容器相连，双向地进行电力变换的双向DC-DC变换器(13)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101420180B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810172923.X
申请日：2005-11-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33507
Abstract: 本发明涉及一种开关电源器件。根据电阻器(41)和光电耦合器的光接收元件(42)之间的节点处的目标电压(Vm)设置N沟道MOS晶体管(33)的导通持续时间。比较器(44)比较目标电压(Vm)与可变电阻器(38)和电阻器(45)之间的节点处的参考电压(Vb)。根据比较器(44)的输出信号将正常模式和低频操作模式从一种切换到另一种。当来自电源(30)的输入电压为高时可变电阻器(38)的电阻变低。因此，甚至当输入电压为高时，在正常模式和低频操作模式之间转换时N沟道MOS晶体管(33)的导通持续时间变短。这减小了低频操作模式下的开关能量，由此抑制噪声。
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公开(公告)号：CN101777825A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010139858.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M1/32
Abstract: 本发明的电源装置，不采用专用的感温元件，而采用肖特基势垒二极管(SBD)进行过热保护。该过热保护电路在直流电源装置(1A)中，使由与整流二极管(D51A)热耦合的肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的温度引起的反向漏电流(Ir)流入到输出电压检测电路(10A)内的光耦合器(PC1)。由此，当肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的反向漏电流(Ir)增大时(整流二极管(D51A)的温度由于过载而上升时)，使输出电压检测电路(10A)的反馈信号增大，使输出电压降低，从而进行直流电源装置(1A)的过热保护。
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公开(公告)号：CN101005235A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610168018.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M1/32
Abstract: 本发明的电源装置的过热保护电路，不采用专用的感温元件，而采用肖特基势垒二极管(SBD)进行过热保护。该过热保护电路在直流电源装置(1A)中，使由与整流二极管(D51A)热耦合的肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的温度引起的反向漏电流(Ir)流入到输出电压检测电路(10A)内的光耦合器(PC1)。由此，当肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的反向漏电流(Ir)增大时(整流二极管(D51A)的温度由于过载而上升时)，使输出电压检测电路(10A)的反馈信号增大，使输出电压降低，从而进行直流电源装置(1A)的过热保护。
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公开(公告)号：CN1780127A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510125489.6
申请日：2005-11-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33507
Abstract: 根据电阻器(41)和光电耦合器的光接收元件(42)之间的节点处的目标电压(Vm)设置N沟道MOS晶体管(33)的导通持续时间。比较器(44)比较目标电压(Vm)与可变电阻器(38)和电阻器(45)之间的节点处的参考电压(Vb)。根据比较器(44)的输出信号将正常模式和低频操作模式从一种切换到另一种。当来自电源(30)的输入电压为高时可变电阻器(38)的电阻变低。因此，甚至当输入电压为高时，在正常模式和低频操作模式之间转换时N沟道MOS晶体管(33)的导通持续时间变短。这减小了低频操作模式下的开关能量，由此抑制噪声。
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公开(公告)号：CN1613173A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03801979.5
申请日：2003-01-08
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M3/1563 , H02M2001/0009 , H02M2001/4275 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 本发明是关于一种功率因数改善变换器及其控制方法。升压量检测部(103)检测电感器(L11)的升压量。控制部(106)的运算放大器(113)将升压量检测部(103)检测出的升压量与基准电压(ES12)进行比较。在从交流电源(100)供给的供给电压下降时，如果输出电压不变化，则升压量检测部(103)检测的升压量增大。在升压量检测信号的信号电平比基准电压(ES12)高时，控制部(106)使转换电流的目标电平降低。通过降低转换电流的目标电平，输出电压降低，减少升压造成的能量损耗。
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