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公开(公告)号：CN1397661A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02124433.2
申请日：2002-06-26
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 高桥诚一郎 , 池田真 , 渡边弘
IPC: C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种可以基本采用DC磁控管溅射装置来制造能形成透明且高电阻的膜的高电阻透明导电膜用溅射靶以及高电阻透明导电膜的制造方法。该溅射靶是形成电阻率约为0.8～10×10－3Ωcm的透明导电膜的高电阻透明导电膜用氧化铟系溅射靶，含有氧化铟和根据需要的氧化锡、且含有绝缘性氧化物。
