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公开(公告)号：CN107253855A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710623904.3
申请日：2015-01-30
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/457 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明涉及一种ITO烧结体以及由该ITO烧结体组成的ITO溅射靶材，其中，所述ITO烧结体为，Sn的含量以SnO2量换算为质量百分比2.5～10.0％，并具有In2O3母相与存在于该In2O3母相的晶粒边界处的In4Sn3O12相，并且相对密度为98.0％以上，所述In2O3母相的平均粒径为17μm以下，该ITO烧结体的截面上的所述In4Sn3O12相的面积率为0.4％以上。本发明的ITO烧结体在加工工序中不容易产生裂纹或变形等。本发明的ITO溅射靶材在与基材接合的接合工序中不容易产生裂纹或变形等。因此，本发明的ITO烧结体以及ITO溅射靶材能够提升制造成品率。
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