-
公开(公告)号：CN104638075B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510061076.X
申请日：2015-02-06
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种可提高LED亮度的外延结构的制备方法，包括如下步骤：在氢气气氛下高温预处理衬底，在衬底表面依次生长缓冲层，非掺GaN层，n型GaN层，至少两层多量子阱有源层，p型电子阻挡层，p型GaN层和p型接触层；所述的量子阱有源层由至少两个InGaN阱层和垒层组成，所述的每个量子阱生长在高压下，生长过程中均通入少量的氢气。本发明采用高压生长量子阱，同时生长过程中通入少量氢气，降低InGaN薄膜中的C杂质含量，有效提高LED的亮度。
-
公开(公告)号：CN103824796B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410005715.6
申请日：2014-01-07
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 本发明提供了用于LED外延片制程的石墨承载盘及配套的衬底，承载盘包括承载盘本体，所述本体上均布有晶圆凹槽，所述本体的中心设置有轴孔，所述晶圆凹槽的边缘内侧设有架设台面，所述架设台面与晶圆凹槽的边缘顶部之间设置有距离，架设台面均布与晶圆凹槽的边缘上。所述衬底包括衬底本体及架设在架设台面上的翼。本发明的有益效果主要体现在：本承载盘克服了传统石墨承载盘的整体外延片良率不高及受热不均匀造成的外延片波长均匀分布不稳的缺点，生长的LED外延片整体良率高，波长均匀性好，很好的解决了LED外延片外延波长及标准差良率问题。
-
公开(公告)号：CN103730554B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310685419.0
申请日：2013-12-16
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化镓基LED外延片的生长方法，先1100‑1200℃的氢气气氛下，高温处理蓝宝石衬底7‑8分钟；降温生长低温GaN缓冲层；升高退火，形成成核层并生长粗化层；接着采用周期性调制高低温生长非掺杂GaN层，然后周期性生长MQW有源层，之后在MQW有源层上依次生长P型铝镓氮层，P型氮化镓层，最后得到完整的LED外延片。本发明的有益效果主要体现在：通过在非掺杂层采用调制高低温方式生长，使GaN层生长模式在3D与2D模式间多次切换，不断优化成核岛的密度和大小，使位错多次转向，迫使位错转向，调整氮化镓材料与衬底失配带来的应力分布，提高晶体质量，能很好的改善氮化物发光二极管的漏电和抗静电等电性能。
-
公开(公告)号：CN103846001A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410062339.4
申请日：2014-02-24
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明揭示了一种MOCVD尾气处理系统及其处理方法，所述系统包括用于过滤尾气中的粉尘过滤器，缓冲罐的进口端与过滤器出口端连接，用于稳定进入后续装置的尾气的气体总量；反应炉的进口端与缓冲罐的出口端连接，纯化器的进口端与反应炉的出口端连接。反应后的尾气进行过滤后依次进入到缓冲罐、反应床和纯化器，经过设置有催化剂的反应床将尾气中的氨气分解，再通过纯化器对气体中的氢气进行进一步的纯化，本发明的有益效果主要体现在：通过反应床内对尾气中的氨气进行分解，尾气中氨气的转化率可高达99%以上，最终形成氮气和氢气，进行二次利用、收集，尾气处理效果好。
-
公开(公告)号：CN103824796A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410005715.6
申请日：2014-01-07
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 本发明提供了用于LED外延片制程的石墨承载盘及配套的衬底，承载盘包括承载盘本体，所述本体上均布有晶圆凹槽，所述本体的中心设置有轴孔，所述晶圆凹槽的边缘内侧设有架设台面，所述架设台面与晶圆凹槽的边缘顶部之间设置有距离，架设台面均布与晶圆凹槽的边缘上。所述衬底包括衬底本体及架设在架设台面上的翼。本发明的有益效果主要体现在：本承载盘克服了传统石墨承载盘的整体外延片良率不高及受热不均匀造成的外延片波长均匀分布不稳的缺点，生长的LED外延片整体良率高，波长均匀性好，很好的解决了LED外延片外延波长及标准差良率问题。
-
公开(公告)号：CN103730554A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310685419.0
申请日：2013-12-16
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化镓基LED外延片的生长方法，先1100-1200℃的氢气气氛下，高温处理蓝宝石衬底7-8分钟；降温生长低温GaN缓冲层；升高退火，形成成核层并生长粗化层；接着采用周期性调制高低温生长非掺杂GaN层，然后周期性生长MQW有源层，之后在MQW有源层上依次生长P型铝镓氮层，P型氮化镓层，最后得到完整的LED外延片。本发明的有益效果主要体现在：通过在非掺杂层采用调制高低温方式生长，使GaN层生长模式在3D与2D模式间多次切换，不断优化成核岛的密度和大小，使位错多次转向，迫使位错转向，调整氮化镓材料与衬底失配带来的应力分布，提高晶体质量，能很好的改善氮化物发光二极管的漏电和抗静电等电性能。
-
公开(公告)号：CN109216524A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710515047.5
申请日：2017-06-29
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
IPC分类号： H01L33/46
摘要： 本发明提供了一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构，所述DBR膜系结构蒸镀于LED芯片背面，所述DBR膜系为20层，且所述DBR膜系为非规整型膜系，每层DBR膜系具有不同的相应中心波长。本发明的有益效果体现在：加宽了规整膜系的反射带宽，简化了全波段非规整DBR膜系结构，缩短了蒸镀制程时间。在满足了蓝光芯片对反射率的要求的同时，能有效的平衡生产效率等问题。
-
公开(公告)号：CN104217958B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310492185.8
申请日：2013-10-18
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L33/32
摘要： 本发明提供了一种用于提高GaN外延层高电阻特性的预处理方法，应用于对MOCVD机台在周期设备开反应腔作保养后，开始新一轮的量产之前，通过在机台恢复生长前，通过在重涂层运行阶段的高温段将很高浓度的Mg 流量通入反应室进行预反应，在反应室表面形成Mg 的氮化物的沉积，这样能在随后的GaN外延生长中，引入与原有背景电子浓度基本一致的背景Mg 浓度，中和过高的背景电子浓度，同时不引入其他的背景杂质，从而有效提高GaN 外延层的电阻值，提高其电阻特性。
-
公开(公告)号：CN104319321B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410581877.4
申请日：2014-10-27
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明揭示了一种间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构的制作方法，包括如下步骤：准备一衬底，在氢气气氛下高温处理衬底；在处理好的衬底表面依次生长缓冲层、n-GaN层；在n-GaN层上周期性生长MQW有源层；在MQW有源层上依次生长p-GaN及P型接触层；所述MQW有源层由至少两个多量子阱层组成，每个所述多量子阱层由InGaN量子阱层、GaN保护层及GaN量子垒层构成，且每个多量子阱中的各层均在同温下生长。本发明经过这中间的间隔退火处理，其晶面取向更为统一，晶格质量更高；得到高质量的量子阱结构层，发光效率提高10%以上，节省了大量原有在多量子阱层中升降温时间，产能提升明显；使低温GaN材料的表面平滑化，从而实现垒的均匀二维生长，得到高质量的多量子阱材料。
-
公开(公告)号：CN103187488B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201110447287.9
申请日：2011-12-28
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明揭示了一种白光LED芯片制造方法及其产品，本发明通过在芯片焊垫周围制作内围坝，预留焊盘，在芯片外框制作外围坝，预留划片槽，然后在内围坝和外围坝间涂敷荧光粉的方法制得白光LED芯片。本发明的方法能在芯片表面获得平整均匀的荧光粉涂层，真正实现荧光粉芯片级封装。这种方法得到的白光芯片的色温一致，没有局部蓝圈或黄圈的不均匀光斑。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
64 条记录 (耗时 0.045 秒)
