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公开(公告)号：CN101859289B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010196754.0
申请日：2010-06-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F13/38
Abstract: 一种片外存储器访问控制器，用于实现嵌入式SoC芯片对外部存储器的访问，该控制器包括统一时序逻辑生成和控制单元(201)，时序特征码存储器(202)，可配置寄存器文件单元(203)，辅助定时刷新及计数模块(204)，地址生成单元(205)，数据传输通道(206)，片上总线接口(208)和外部存储器接口(209)。本发明通过特征码的形式将所有可能时序纳入到统一的设计结构中去，减少了繁琐的设计工作，并能够进一步的获得更紧凑的版图。这种统一的架构也为以后功能的进一步扩展和可重用性的提高打下了基础。
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公开(公告)号：CN101776486B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910273496.9
申请日：2009-12-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种基于红外焦平面非均匀性指纹模式的校正方法，属于红外成像技术领域。目的是在无背景帧的情况下，对非制冷红外焦平面探测器获取的红外图像进行非均匀性校正。本发明包括原始数据采集步骤、非均匀性指纹提取步骤、校正处理步骤。所谓非均匀性指纹，是指每个红外焦平面探测器都有相对稳定的非均匀性模式及其随温度变化的规律，这两者统称为非均匀性指纹。利用这些可以事先估算出来的非均匀性模式和规律，便可以在红外焦平面探测器获取实际红外图像后，对其进行非均匀性校正。与常规的红外焦平面非均匀性校正方法比较本发明能够有效地减小了探测装置的体积，也不需要像常规方法每次校正时都需要利用均匀挡板获取背景帧，从而大大简化了校正过程。
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公开(公告)号：CN101859289A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010196754.0
申请日：2010-06-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F13/38
Abstract: 一种片外存储器访问控制器，用于实现嵌入式SoC芯片对外部存储器的访问，该控制器包括统一时序逻辑生成和控制单元(201)，时序特征码存储器(202)，可配置寄存器文件单元(203)，辅助定时刷新及计数模块(204)，地址生成单元(205)，数据传输通道(206)，片上总线接口(208)和外部存储器接口(209)。本发明通过特征码的形式将所有可能时序纳入到统一的设计结构中去，减少了繁琐的设计工作，并能够进一步的获得更紧凑的版图。这种统一的架构也为以后功能的进一步扩展和可重用性的提高打下了基础。
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公开(公告)号：CN101452572B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710168662.X
申请日：2007-12-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于VLSI结构设计领域，为一种基于三次平移算法的图像旋转VLSI结构。该结构基于三次平移和立方卷积插值算法的图像旋转ASIC结构设计，用于纠正因摄像机平台倾斜、抖动或运动所带来的图像不稳定问题，以及实现目标匹配中的模板旋转。本发明在三次平移旋转算法硬件实现结构的基础上，通过暂存平移量的方式减少了片上存储空间需求；通过引入延迟线(Delay Line)结构，实现了三次平移的流水线操作；通过对存储器和寄存器的写入数据控制实现了图像边缘扩展，减轻了图像边界的模糊现象。与现有结构相比，它有效降低了片上存储器容量，提高了处理速度，很好的解决了电子稳像的速度与精度难题。
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公开(公告)号：CN101776486A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910273496.9
申请日：2009-12-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种基于红外焦平面非均匀性指纹模式的校正方法，属于红外成像技术领域。目的是在无背景帧的情况下，对非制冷红外焦平面探测器获取的红外图像进行非均匀性校正。本发明包括原始数据采集步骤、非均匀性指纹提取步骤、校正处理步骤。所谓非均匀性指纹，是指每个红外焦平面探测器都有相对稳定的非均匀性模式及其随温度变化的规律，这两者统称为非均匀性指纹。利用这些可以事先估算出来的非均匀性模式和规律，便可以在红外焦平面探测器获取实际红外图像后，对其进行非均匀性校正。与常规的红外焦平面非均匀性校正方法比较本发明能够有效地减小了探测装置的体积，也不需要像常规方法每次校正时都需要利用均匀挡板获取背景帧，从而大大简化了校正过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100535618C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710051919.3
申请日：2007-04-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种红外焦平面阵列非均匀性自适应校正方法，属于红外焦平面探测器领域，目的在于有效地抑制目标退化，提高运算速度，并且易于硬件实现。本发明包括初始化步骤、预处理步骤、粗校正步骤和精校正步骤，本发明采用一点校正和神经网络自适应校正相结合的算法，并且加入边缘提取模块，结合各算法的优点，得出一种组合的校正算法，有效地消除了空间低频噪声，抑制了目标退化，在运算速度上比基于边缘指导的神经网络算法有一定提高。
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公开(公告)号：CN101452572A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710168662.X
申请日：2007-12-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于VLSI结构设计领域，为一种基于三次平移算法的图像旋转VLSI结构。该结构基于三次平移和立方卷积插值算法的图像旋转ASIC结构设计，用于纠正因摄像机平台倾斜、抖动或运动所带来的图像不稳定问题，以及实现目标匹配中的模板旋转。本发明在三次平移旋转算法硬件实现结构的基础上，通过暂存平移量的方式减少了片上存储空间需求；通过引入延迟线(Delay Line)结构，实现了三次平移的流水线操作；通过对存储器和寄存器的写入数据控制实现了图像边缘扩展，减轻了图像边界的模糊现象。与现有结构相比，它有效降低了片上存储器容量，提高了处理速度，很好的解决了电子稳像的速度与精度难题。
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公开(公告)号：CN100433793C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710051920.6
申请日：2007-04-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 基于运动检测指导的红外焦平面非均匀性校正方法，属于红外焦平面探测器领域，目的在于能够自适应，有效抑制目标退化，解决伪像(鬼影)问题，并且易于硬件实现，本发明包括(1)预处理步骤，(2)校正步骤，(3)迭代步长调整步骤，(4)增益校正系数更新步骤。本发明有效的解决和抑制了场景类算法中产生的目标退化和伪象现象，去除了固定图案噪声，具有自适应性，计算操作简单，利于硬件实现，达到实时性。
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公开(公告)号：CN204188925U
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201420621472.4
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/1335 , G02F1/133
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯基电控液晶光汇聚微透镜阵列芯片，包括：石墨烯液晶聚光微透镜阵列、以及驱控信号输入端口，石墨烯液晶聚光微透镜阵列为m×n元，石墨烯液晶聚光微透镜阵列采用夹层结构，且下中上层之间顺次设置有第一基片、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、图案化石墨烯电极层、石墨烯电极层、第二基片，图案化石墨烯电极层由m×n个均匀排布的石墨烯圆孔构成，从图案化石墨烯电极层延伸出一根图案化电极引线并接入驱控信号输入端口的一端，从石墨烯电极层延伸出另一根电极引线并接入驱控信号输入端口的另一端。本实用新型结构紧凑牢固，电驱控能力强，控制精度高，易与常规红外光学光电机械结构耦合，环境适应性好。
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公开(公告)号：CN204129398U
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201420657570.3
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本实用新型公开了一种红外聚光芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构，其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜；图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成，圆形导电膜的直径大于与其相邻的圆环形导电膜的径向宽度；在圆环形导电膜为多个时，多个圆环形导电膜依次设置在圆形导电膜的外围，且其径向宽度递减。该芯片对红外波束的聚焦效能高，光场适应性好，体积和质量小，易与其它光学光电机械结构耦合。
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