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公开(公告)号:CN104513662A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201310460738.1
申请日:2013-09-30
Applicant: 北京鼎材科技有限公司 , 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
IPC: C09K11/06 , C07D487/04 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一类如式(I)所示的一种有机发光材料,其中:Ar1-A8独立选自H、C6~C30的取代或非取代的芳烃基团、C6~C30的取代或非取代的稠环芳烃基团、C6~C30的取代或非取代的稠杂环基团、五元、六元的杂环或取代杂环、三芳胺基基团、芳醚团基基团、C1~C12的取代或非取代的脂肪族烷基基团中的一种。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用,尤其是作为OLED器件中的空穴注入材料、空穴传输层材料、荧光主体材料或发光材料。
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公开(公告)号:CN104513660A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201310460232.0
申请日:2013-09-30
Applicant: 北京鼎材科技有限公司 , 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
IPC: C09K11/06 , C07D209/86 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一类如式(I)所示的一种有机发光材料,其中:Ar1-Ar7独立选自H、C6-C30取代或未取代的芳烃基团,C6-C30取代或未取代的稠环芳烃基团,C6-C30取代或未取代的稠杂环基团,或五元、六元的杂环或取代杂环,C6-C30取代或未取代的三芳胺基团,或芳醚基团,C1-C12取代或未取代的脂肪族烷基基团中的一种,Ar1-Ar8不同时为H。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用,尤其是作为OLED器件中的空穴注入材料、空穴传输层材料、荧光主体材料。
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公开(公告)号:CN104513247A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201310459876.8
申请日:2013-09-30
Applicant: 北京鼎材科技有限公司 , 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
IPC: C07D487/04 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: C07D487/04 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074
Abstract: 本发明涉及一类如式(I)所示的一种苯并[c]苯并[3,4]咔唑并咔唑衍生物,其中:Ar1-Ar8独立选自H、C6-C30取代或未取代的芳烃基团,C6-C30取代或未取代的稠环芳烃基团,C6-C30取代或未取代的稠杂环基团,或五元、六元的杂环或取代杂环,C6-C30取代或未取代的三芳胺基团,或芳醚基团,C1-C12取代或未取代的脂肪族烷基基团中的一种,Ar1-Ar8不同时为H。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用,尤其是作为OLED器件中的空穴注入材料、空穴传输层材料、荧光主体材料或发光材料。
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公开(公告)号:CN104362258A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201410642410.6
申请日:2014-11-07
Applicant: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/52 , H01L2251/53
Abstract: 本发明公开一种具有长寿命的有机发光器件,包括第一电极、第二电极以及处于二者之间含磷光发光层或延迟荧光发光层的有机发光元件,还包括以正向脉冲电压V1或正向脉冲电流I1驱动以使所述有机发光元件发光的脉冲交流驱动电路,所述脉冲交流驱动电路在施加正向脉冲电压V1或正向脉冲电流I1之后,还施加与所述正向脉冲电压V1或正向脉冲电流I1相反的反向瞬时脉冲电压V2。所述反向瞬时脉冲电压V2于每个周期内的施加控制时间小于等于10μs。本发明提供的具有长寿命的有机发光器件,能够在减少频闪的情况下,有效提高了有机发光器件的屏体工作寿命。
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公开(公告)号:CN104009188A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201410201085.X
申请日:2014-05-13
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
CPC classification number: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种提高ITO透明导电薄膜空穴注入能力的方法,其包括下述步骤:S1、在溶剂超干苯溶液中加入一种或两种结构式(Ⅰ)所示结构的化合物,所述化合物与溶剂超干苯溶液的体积比为0.1%-5%,充分混合;S2、通过UV光照处理ITO透明导电薄膜表面后,将ITO透明导电薄膜表面浸泡在步骤(1)中所制的混合溶液中;S3、取出步骤(2)中浸泡处理后的ITO透明导电薄膜,在醇溶液中超声除杂,干燥,即得高空穴注入能力的ITO透明导电薄膜。
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公开(公告)号:CN103682117A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310752715.8
申请日:2013-12-31
Applicant: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/55
Abstract: 本发明所述的有机发光照明装置,包括第一电极层、发光层、第二电极层,沿远离第一电极方向,各发光层的禁带宽度依次递减;当直流驱动电压较低时,禁带宽度小的发光层发光强度大,随着驱动电压的升高,禁带宽度较大的发光层发光强度逐渐增强。随着驱动电压的升高,由于电子传输层的载流子迁移率大于空穴传输层的载流子迁移率,使得电子和空穴的复合中心向空穴传输层一侧靠近,使得发光颜色发生改变。采用脉冲电压驱动有机发光照明装置,通过调节脉冲电压的幅值和时间即可实现颜色和亮度的调节。而且在现有有机发光照明装置的器件结构基础上,无需增加功能层以及制备工艺便可实现发光颜色的可调,不但制备工艺简单、而且透光率高。
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公开(公告)号:CN103664894A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201210591026.9
申请日:2012-12-31
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC: C07D401/14 , C07F5/02 , C07F5/04 , H01L51/54
CPC classification number: C07D401/14 , C07F5/025 , H01L51/0052 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072
Abstract: 本发明涉及一类如式(1)所示的化合物,其中:n为1或者2;Ar1和Ar2彼此独立地为芳基或杂芳基;R1-R5为Ar2上的不同位置的五个取代基,彼此相同或者不同,并且各自独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基、芳香族基团;A为N原子或者CH;L为单键、选自C4-C10的芳环或芳杂环。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用,尤其是作为OLED的电子传输材料和/或发光主体材料。
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公开(公告)号:CN103579282A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310456024.3
申请日:2013-09-29
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明所述的一种多通道集成光耦器件,光耦单元设置在基板同侧,无需增大光耦单元面积就可实现有机电致发光部件和有机光敏部件的一一对应,且各独立光耦无需单独封装,集成度高;各光耦单元之间设置有不透光的隔离柱,相邻光耦单元之间无光信号串扰问题,抗干扰能力强;各部件为有机材料制成,使得所述多通道集成光耦器件具备柔性,轻、薄、体积小,适用范围广。本发明所述的一种多通道集成光耦器件的制备方法,采用有机薄膜器件制备工艺,将各光耦单元设置在基板同侧,集成度高,而且各光耦单元之间设置有不透光的隔离柱,相邻光耦单元之间无光信号串扰问题,抗干扰能力强且采用现有有机薄膜器件的生产工艺,工艺成熟、制备成本低。
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公开(公告)号:CN102372663B
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201010258750.0
申请日:2010-08-20
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
IPC: C07D213/06 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供了一种新型化合物,该化合物结构对称,制备工艺简单,具有较高的发光效率和高的载流子迁移率,可用于电致发光元件的电子传输层。所应用的器件能较明显的降低驱动电压,提高电流效率。该化合物结构通式如下式所示,其中,母核选自2,8-二溴代-6,6,12,12-四烷基-6,12-二氢[1,2b]芴,端基Ar选自苯基基团、联苯基基团或者萘基基团,R为碳原子数从1-6的烷基基团。
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公开(公告)号:CN103050631A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201210491584.8
申请日:2012-11-27
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种低电压工作的OLED器件,包括电荷传输层,所述电荷传输层包括电子传输层和空穴传输层,所述电荷传输层由包含电荷复合界面和电荷分离界面的多层结构构成,所述电荷传输层的多层结构中每层结构的厚度均小于电荷的库伦捕获半径。本发明的低电压工作的OLED器件的电荷传输层采用多层结构,多层结构之间形成电荷复合界面和电荷分离界面,在电荷复合界面和电荷分离界面之间,由于电荷库伦力的作用,电荷的传输能力非常强,从而促进电荷传输。本发明的低电压工作的OLED器件中,电荷传输层具有非常高的电荷迁移率(1х10-3到1х10-1cm/Vs),可以有效降低器件的工作电压。
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