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公开(公告)号：CN104991740A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510354925.0
申请日：2015-06-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种加速纠删码编解码过程的通用矩阵优化方法，包括：在编解码时，通过把校验矩阵分解为多个相互独立的子矩阵和一个剩余的子矩阵，使得编解码的计算能够被部分并行执行，除此以外，还通过调整矩阵运算的顺序，降低了在编解码过程中涉及数据块运算的次数，从而降低了计算的时间花销。本发明方法提升纠删码编解码过程的性能，尤其是在多核处理器上运行时的性能。使用本发明实现的编解码过程可以利用编码的潜在并行能力，充分发挥多核处理器的并行处理能力，缩短计算过程所花费的时间。
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公开(公告)号：CN104850504A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510273730.3
申请日：2015-05-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种加速基于XOR的RAID-6编解码过程的方程并行计算方法：将基于XOR的RAID-6编码的校验规则用校验方程组表示，把每个校验方程在编解码过程中的求解分解为两个阶段——“预计算阶段”以及“递归求解阶段”；每个校验方程由一个独立的线程实施求解，多个校验方程的预计算阶段被并行执行；使用一个全局共享的数据块状态表记录数据块的状态以协调所有线程的执行。本发明方法利用编码的潜在并行能力，使得大部分计算可以同时使用多个线程处理，充分发挥并行处理能力，缩短计算所花费的时间，提高编解码的性能。
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公开(公告)号：CN104850358A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510275683.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种磁光电混合存储系统，该系统包括内存、固态盘存储区、磁盘存储区和光盘存储区。上述三个存储区区域在逻辑上构成统一的存储空间，维护一个全局文件地址映射表，使得用户或者外部程序能够以统一一致性的方式进行数据寻址和存取。当存储数据时，该系统存储管理区根据数据的存取行为，自动在上述三个存储区选择合适的物理存储位置和数据组织方式。当存取模式发生变化时，存储管理区动态地选择合适的物理存储位置和数据组织方式，并进行必要的数据迁移，整个过程对于外部用户是完全透明的。本发明解决了现有存储系统的一些问题，合理利用三种存储设备的存储特征，提高了数据的存储效率和资源利用率。
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公开(公告)号：CN102070914B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010552335.6
申请日：2010-11-19
Applicant: 深圳华力兴新材料股份有限公司 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C08L101/00 , C08L77/00 , C08L67/02 , C08L23/12 , C08L69/00 , C08L55/02 , C08K7/00 , C08K3/04 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08K3/26 , C08J3/20
Abstract: 本发明属于高分子工程材料技术领域，涉及一种无机物微粒包覆的塑料粒子及其制备方法、生产设备和用途。一种无机物微粒包覆的塑料粒子，其特征在于，该无机物微粒包覆的塑料粒子中含有按质量百分比计的下列成分：0.5％～50％的无机物微粒、50％～99.5％的塑料粒子；所述无机物微粒包覆在所述塑料粒子外，所述无机物微粒的平均粒径为1nm～100μm，所述塑料粒子的平均粒径为0.1mm～10mm。将所述无机物微粒包覆的塑料粒子直接加入到注塑机注塑成型用于制备改性工程塑料。
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公开(公告)号：CN104714758A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510025251.X
申请日：2015-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于校验RAID加入镜像结构的阵列构建方法及读写系统；所述阵列构建方法包括地址布局、数据布局、数据存取和数据重构四个步骤；所述读写系统包括I/O模块、镜像管理模块、地址变换模块和基于校验RAID模块；本发明在基于校验RAID的基础上加入镜像结构，提高了阵列的I/O性能；利用镜像数据重构缩短重构时间；新颖的地址布局方式将原始数据与镜像数据尽可能的放在邻近的位置，缩短了磁头移动的距离；在后台更新校验信息，缓解基于校验RAID的写放大问题，提高阵列的写性能；由于镜像数据的存在，提高了阵列的容错能力，因此在阵列的可用性和可靠性方面有很大的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102681791B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210107258.2
申请日：2012-04-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集群存储系统的节能存储方法，包括以下步骤：获取请求队列信息，判断请求队列信息是读数据请求还是写数据请求，如果是读数据请求，则根据读数据请求进行读数据操作，以得到读数据请求对应的数据，否则根据写数据请求，判断写数据请求对应的数据节点是否失效，如果失效，则对失效的数据节点进行数据重构操作，否则判断当前的缓存空间利用率是否达到阈值，如果达到阈值，则根据缓存空间利用率对缓存中的数据进行数据同步操作，否则对写数据请求对应的数据进行写入操作。本发明在保证可靠性的情况下，能够有效地提高存储系统的容错能力和存储效率，降低存储系统的能耗，这些优势使它有着实用性和推广潜力。
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公开(公告)号：CN104363368A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410579934.5
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种液晶基单眼复眼一体化成像探测芯片，包括陶瓷外壳、金属支撑和散热板、以及单眼复眼一体化成像探测架构，陶瓷外壳后部固置于金属支撑和散热板顶部，单眼复眼一体化成像探测架构设置于陶瓷外壳内，并包括同轴顺序设置的驱控与图像预处理模块、面阵可见光探测器以及面阵电控液晶成像微透镜，面阵电控液晶成像微透镜用于从陶瓷外壳顶部开口接收可见光，并将该可见光聚焦到面阵可见光探测器，驱控与图像预处理模块通过通讯与控制信号输出端口接收来自于外部的工作信号，根据该工作信号生成驱动信号。本发明的液晶基单眼复眼一体化成像探测芯片具有结构紧凑，使用方便，易与常规成像光学系统耦合，目标和环境适应性好等特点。
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公开(公告)号：CN104345508A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410618045.5
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/13306
Abstract: 本发明公开了一种基于波前调节的电控液晶激光整形芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成，圆形导电膜的圆心与液晶调相架构的轴心重合；在圆环形导电膜为多个时，所有圆环形导电膜的径向宽度相等，相邻导电膜的径向间距相等。该芯片激光波束整形变动范围大，适应性好，体积和质量小，易与其它光学光电机械结构耦合。
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公开(公告)号：CN104330931A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410615813.1
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
CPC classification number: G02F1/1343 , G01J3/12 , G02F1/1313 , G02F1/1333 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了一种红外液晶相控阵芯片。该芯片包括电控液晶调相微柱阵列；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的液晶初始取向层、电隔离层、图形化电极层、基片和红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的液晶初始取向层、电隔离层、公共电极层、基片和红外增透膜；图形化电极层由阵列分布的子电极构成，每个子电极均由正方形或长方形导电膜构成；电控液晶调相微柱阵列被划分成阵列分布的电控液晶调相微柱，其与子电极一一对应，单个子电极的面积与对应的电控液晶调相微柱的光接收面积的比值为50％～95％。该芯片能实现电控扩束、缩束、散束、聚束、束调向以及束扫描等功能，易与其它红外光学光电机械结构耦合，光场适应性好。
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公开(公告)号：CN104330172A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410616547.4
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电控液晶汇聚微透镜的波前测量芯片。包括面阵电控液晶汇聚微透镜和面阵可见光探测器；面阵电控液晶汇聚微透镜包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成，图形化电极层由其上布有m×n元阵列分布的方孔或圆孔的一层匀质导电膜构成；面阵可见光探测器被划分成m×n元阵列分布的子面阵可见光探测器，每个子面阵可见光探测器包括j×j元阵列分布的光敏元。该芯片波前测量范围大，目标和环境适应性好，易与光学光电机械结构耦合。
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