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公开(公告)号：CN113923172B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110853660.4
申请日：2021-07-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及现场总线和工业互联网领域，公开了一种支持多端口FF(Foundation Fieldbus，基金会现场总线)总线数据交换的交换机架构、实现方法。本发明提出采用硬件电路的方法实现多端口FF总线数据转换，通过这种FF现场总线交换机架构、实现方法，多端口FF总线数据可以在保证时间确定性的情况下接入TSN交换机，进而接入工业互联网。FF总线数据通过数据收发模块传入本FF现场总线交换机硬件电路，在电路内进行校验、优先级(VLANTag中定义)判断、封包以太网帧操作后，通过TSN接口模块将封装后的FF总线数据传给TSN交换机。整个传输过程完全采用硬件电路处理，转换速度快，转换时间小，多端口数据转换采用并行方式，不会由于数据量大而造成数据拥堵。
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公开(公告)号：CN113923071B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110854778.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于TSN的HART总线交换机电路，该电路使HART总线网络能够与TSN网络兼容。该电路支持多路HART总线网络接入，包括HART收发电路、TSN封包模块、TSN解包模块、VID映射表、优先级映射表、丢弃标志映射表、多路选择器、RGMII接口、AXI接口。对于HART总线网络传来的上行HART协议数据，电路给数据添加相应的VLAN Tag，并封装上以太网帧头、帧尾，形成TSN协议数据，通过RGMII接口发送给电路外的TSN交换机；对于RGMII接口传来的下行TSN数据，电路将数据中的VLAN Tag和以太网帧头、帧尾去除，得到HART协议数据，并根据VLAN Tag中的VID号将该数据发送到相应的HART总线网络。
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公开(公告)号：CN114143154B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210115397.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开基于OFDM调制的单对双绞线以太网传输系统及方法，包括，发射机及接收机；其中，发射机用于接收以太网传输的数据，将传输的数据切分为数据帧，将数据帧分别送入不同通道，对不同通道下的数据帧分别进行数据处理及数模转换，生成模拟信号，将模拟信号耦合到单对双绞线内进行传输；接收机用于接收单对双绞线内的模拟信号，通过对模拟信号进行模数转换，得到OFDM数字信号，对不同通道下的OFDM数字信号进行同步及信道估计与均衡处理，得到解码前信号，对解码前信号进行数据处理得到正确数据，将不同通道下的正确数据传输给以太网。本发明能够提高系统传输带宽和传输距离，确保以太网数据传输的实时性和确定性。
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公开(公告)号：CN111694093B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010482132.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/10 , H04B10/291
Abstract: 本发明实施例提供一种局部光放大的硅基光电子集成芯片及泵浦耦合方法，芯片包括光信号处理器件和传输波导，还包括增益层；增益层为在光信号处理器件上引出至少一根放大波导，在至少一根放大波导上蚀刻槽状结构且在槽状结构中填充增益材料形成的；和/或，在传输波导上蚀刻槽状结构，在槽状结构中填充增益材料形成的。本发明实施例对整个硅基光电子集成芯片中需要光放大的部分进行局部处理，填充增益材料，实现局部高性能的光放大，能有效补偿整个片上系统的传输损耗，为硅基光电子集成芯片引入可靠的片上放大。
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公开(公告)号：CN111934196A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010600408.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供一种电驱动的片上集成掺铒波导放大器及其制备方法，包括：在光路上依次设置的硅衬底、DBR底部反光镜、光波导、增益介质层、DBR顶部反光镜、键合层、Ⅲ-Ⅴ族泵浦层，Ⅲ-Ⅴ族泵浦层通过电致发光产生泵浦光，在信号光传输的相交方向上间接电驱动增益介质层产生放大，Ⅲ-Ⅴ族半导体光源通过外延生长或者贴片键合的方式集成到键合层上；DBR底部反光镜与DBR顶部反光镜构成DBR谐振腔，提高增益介质层中的泵浦功率；光波导与增益介质层形成混合波导结构。本发明采用III-V族半导体激光器作为泵浦，实现了电致发光；III-V族半导体激光器采用生长或贴片键合的方式集成到光波导放大器上，工艺简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111694093A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010482132.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/10 , H04B10/291
Abstract: 本发明实施例提供一种局部光放大的硅基光电子集成芯片及泵浦耦合方法，芯片包括光信号处理器件和传输波导，还包括增益层；增益层为在光信号处理器件上引出至少一根放大波导，在至少一根放大波导上蚀刻槽状结构且在槽状结构中填充增益材料形成的；和/或，在传输波导上蚀刻槽状结构，在槽状结构中填充增益材料形成的。本发明实施例对整个硅基光电子集成芯片中需要光放大的部分进行局部处理，填充增益材料，实现局部高性能的光放大，能有效补偿整个片上系统的传输损耗，为硅基光电子集成芯片引入可靠的片上放大。
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公开(公告)号：CN106156170B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510181263.1
申请日：2015-04-16
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06F8/10
Abstract: 本发明提供一种舆情分析方法及装置，所述方法包括：接收用户发送的舆情分析任务请求，所述舆情分析任务请求中包括分析任务类型；确定与所述分析任务类型对应的处理模型，所述处理模型中包括数据源获取子模型和数据分析子模型；根据所述数据源获取子模型所描述的数据源获取方式获得待分析舆情数据，并根据所述数据分析子模型所描述的数据分析方式对所述待分析舆情数据进行分析，得到分析结果。本发明提供的舆情分析方法及装置能够根据不同的舆情分析任务快速有效的建立处理模型，并能在确保舆情分析任务正常执行的情况下，降低开发工作量，易于扩展子系统，方便管理和维护。
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公开(公告)号：CN106156257A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510208798.3
申请日：2015-04-28
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G06F16/35 , G06F16/958
Abstract: 本发明提供了一种舆情事件的态势预测方法，包括：接收用户输入的待预测事件的名称及关键词表达式；根据所述名称和所述关键词表达式，获取与所述名称和所述关键词表达式匹配的所有数据；根据所述所有数据，确定所述待预测事件所属的领域；根据所述所有数据和所述待预测事件所属的领域，确定与所述待预测事件相匹配的事件发展模型，所述事件发展模型为预先采用所述领域内的历史事件建立的模型；采用所述事件发展模型对所述待预测事件的所有数据进行分析，获得所述待预测事件在未来时间点的预测态势发展情况。本发明所述是舆情事件的态势预测方法，解决了人工定性预测不准确及机器定量预测无法实现长期发展趋势预测的问题。
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公开(公告)号：CN103922752A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410102599.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 北京大学
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种利用粉煤灰制备β-SiAlON复相材料的方法，该方法包括以下步骤：1）将粉煤灰磁选除铁后和碳粉分别粉碎至粒度小于或等于48μm，然后将粉煤灰细粉和碳粉细粉按质量比为1:(0.1～0.25)的比例混合，加水湿磨；2）100～120℃烘干，将干燥烘干后的混合料中粘接剂，在50～100Mpa的压力下预压成型，然后在氮气气氛下1450～1550℃烧结4～6小时，降温冷却后，即得β-SiAlON复相材料。本发明提供的方法简单，原料来源广泛，价格低廉，有利于环境保护，对于开拓废弃物利用的方式方法、增加粉煤灰的附加值具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103922751A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410090902.9
申请日：2014-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: C04B35/599 , C04B35/622 , C04B38/02 , C04B35/66
Abstract: 本发明涉及耐火材料技术领域，提供了一种多孔氮氧化物耐火材料，其中，所述多孔氮氧化物耐火材料包括以下质量百分比的原料：煤矸石90-95%和碳粉5-10%。它的制备方法包括以下步骤，1）将上述原料粉碎，混合获得混合粉料；2）将所述混合粉料采用化学发泡法制得多孔材料胚体；3）将所述多孔材料胚体在氮气环境中高温烧结，降温冷却后制得多孔氮氧化物耐火材料。该制备方法有着广泛的用途，增加了煤矸石的附加值，是资源、能源循环与再生利用领域的新技术，能够有效提高废弃物利用效率、充分利用废弃资源；该多孔氮氧化物耐火材料孔隙率可达到20-50%，抗折强度8-12MPa。
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