公开(公告)号：CN206848526U

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201720133350.4

申请日：2017-02-14

Applicant: 上海新微科技服务有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中科院南通光电工程中心

Inventor： 仇超 ,  虞婷婷 ,  武爱民 ,  盛振 ,  高腾 ,  甘甫烷 ,  赵颖璇 ,  李军

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/43

Abstract: 本实用新型提供一种硅基WDM光收发模块，所述硅基WDM光收发模块包括：硅光子芯片，包括调制器阵列和探测器阵列；以及基于平面光波导技术实现的波分复用器及解复用器，所述波分复用器与所述调制器阵列通过封装连接，所述解复用器与所述探测器阵列通过封装连接。本实用新型通过将硅光子芯片和基于平面光波导技术（PLC）实现的波分复用及解复用芯片封装在一起实现WDM光模块，从而避免硅基波分复用/解复用器在工艺上的困难；并且，针对传统基于分立器件和PLC技术的WDM光收发模块，集成度低，功耗高的缺点，本实用新型通过采用硅光子技术将调制器阵列和探测器阵列集成在一起，可以大大提高光收发模块的集成度，降低功耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN204536588U

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201520043216.6

申请日：2015-01-21

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汪敬 ,  甘甫烷 ,  盛振 ,  武爱民 ,  仇超 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: G02B6/126

Abstract: 本实用新型提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本实用新型提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。