量子点半导体纳米材料渐逝波光纤放大器及其制造方法

    公开(公告)号:CN100485511C

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200610116368.X

    申请日:2006-09-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明述及一种量子点半导体纳米材料渐逝波光纤放大器及其制造方法。它是利用熔锥型光纤耦合器作为光纤渐逝波放大的放大光纤,并把熔锥耦合区外面涂上纳米级的半导体材料,从而实现了纳米半导体材料耦合式的渐逝波光纤放大效果。它由泵浦光源和信号光源连接量子点半导体纳米材料渐逝波放大光纤构成。本方法是:首先制作光纤耦合器件,接着制作量子点半导体纳米材料,然后是制作量子点半导体纳米材料渐逝波放大光纤,最后制成放大器系统。本量子点半导体纳米材料渐逝波光纤放大器,实现宽光谱,体积小,价格低廉,可广泛应用于长距离、大容量、高速率的通信系统,接入网,光纤CATV网,FTTH,军用系统等领域的光信号放大,也可用于光纤传感器领域的光信号放大。

    一种基于半导体光放大器的正交偏振调制的光-光2-4电平编码转换方法和系统

    公开(公告)号:CN101308313A

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200810040051.1

    申请日:2008-07-01

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于半导体光放大器的正交偏振调制的光-光2-4电平编码转换方法和系统。本方法是两路2-电平光强度调制信号正交偏振合波后与被调制信号光反向或同向输入SOA实现对信号光的4-电平强度调制的编码转换。本系统是两路2-电平光强度调制信号分别各经一个偏振控制器后接入光正交偏振耦合器,然后再经一个偏振控制器后,与被调制信号光反向或同向接入SOA,被调制光信号经偏振控制器后接入SOA,SOA输出光经光滤波器后,输出4-电平调制信号。本发明简化了系统复杂程度,直接输出线偏振光,通过调节调制信号功率之比实现功率等间距输出,通过调节SOA的工作电流实现动态输出范围调节。

    纳米量子点光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN1785861A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510030735.X

    申请日:2005-10-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明述及一种纳米量子点光纤及其制作方法。本纳米量子点光纤纤芯、包层和保护层组成,纤芯材料是由纯石英掺杂少量增大折射率的GeO2和具有放大效应的半导体PbS纳米材料组成,包层材料为纯石英材料,保护层材料由纯石英支撑管构成。其制造方法是:①采用MCVD工艺制作来烧结多孔的纤芯预制棒;②采用sol-gel法制备半导体量子点材料;③采用溶胶浸泡法制备量子点纤芯预制棒;④采用低温工艺拉制纳米量子点光纤。可以用较短(厘米级)的本光纤实现光信号放大。本光纤具有宽带特性,是已有的掺铒光纤带宽的2~5倍。可广泛应用于光纤放大器、光纤激光器、光调制器等器件,应用于光纤传感领域的光纤温度、压力传感器等的测量。

    半导体薄膜内包层放大光纤及其预制棒制造方法

    公开(公告)号:CN1785860A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510030734.5

    申请日:2005-10-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种半导体薄膜内包层放大光纤及其预制棒制造方法。本半导体薄膜内包层放大光纤是由半导体薄膜内包层放大预制棒拉制而成的,预制棒由芯棒、内包层和外包层组成,内包层夹在芯棒和外包层之间,芯棒是由掺杂GeO2的石英材料构成,它的折射率要大于外包层的纯石英材料;内包层为薄膜包层,是由具有放大功能的活性半导体直接带隙材料构成;而外包层是由纯石英构成。其预制棒制造方法的工艺过程及步骤为:(a)采用改进化学气相沉积工艺制造芯棒;(b)制作外包层;(c)制作薄膜内包层;(d)采用插棒技术装配;(e)缩棒。本方法制造的预制棒具有半导体性能稳定、材料分解少等特点。本光纤适用于制备具有集成化、增益谱宽、高效泵浦、输出功率高、便于结构小型化,且使用方便,价格低廉的光纤放大器。

    半导体薄膜内包层放大光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN1257429C

    公开(公告)日:2006-05-24

    申请号:CN200410016258.7

    申请日:2004-02-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种新型的纳米半导体薄膜内包层放大光纤及其制造方法,属光纤技术领域。本发明的半导体薄膜内包层放大光纤,它由纤芯、薄膜内包层和外包层组成,半导体薄膜内包层夹于在纤芯和外包层之间。本发明提供了采用气相沉积法在特殊的MCVD制棒机上直接制成具有外包层沉积、半导体薄膜内包层沉积和纤芯沉积的光纤预制棒,然后进行拉制光纤。本发明的纳米半导体薄膜内包层放大光纤制成的放大器具有集成化强、频率宽、增益高、结构简单等特点。

    高灵敏度光纤渐逝波温度传感器及其熔锥型传感用光纤耦合器制造方法

    公开(公告)号:CN1712916A

    公开(公告)日:2005-12-28

    申请号:CN200510026239.7

    申请日:2005-09-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种高灵敏度光纤耦合渐逝波温度传感器及其熔锥型传感用光纤耦合器制造方法。本温度传感器包括光源、探测器和信号处理单元,采用熔锥型光纤耦合器作为探头,熔锥型光纤耦合器的一根耦合光纤熔锥区段的进口端和出口端分别通过光纤连接光源和一个探测器,而另一根耦合光纤熔锥区段的进口端截止不接通光源而出口端通过光纤连接另一个探测器,所述的两个探测器的输出口连接信号处理单元的两个进口端。本发明温度通过改变熔锥型传感用光纤耦合器的输出分光比变化,从而换算获取温度变化信息。熔锥型光纤耦合器由两根光纤熔融拉锥制成。本发明结构简单,抗干扰能力强,灵敏度高,制造容易,成本低,适用于要求对温度实行精确测定或控制的场合。

    双锥型光纤渐逝波温度传感器及其双锥光纤探头的制造方法

    公开(公告)号:CN1699943A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200510026234.4

    申请日:2005-05-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种双锥型光纤渐逝波温度传感器及其双锥光纤探头制造方法。本温度传感器由光源通过光纤经探头连接探测器、再由探测器连接信号处理单元组成,探头为双锥光纤探头,在置于温度变化场中时,由其双锥区段传感温度变化,双锥区段的渐逝场随之发生变化,导致传感光纤的传输能量变化;深测器将光信号转换成电信号后输入信号处理单元;信号处理单元对电信号处理后得到温度信息。其双锥光纤探头的制造方法是对单根光纤预热后缓慢熔融拉锥而成。本发明的温度传感器具有结构简单、制作容易、成本低,可应用于需要获取温度实时数据的各种场合。

    光纤微分干涉仪
    149.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1203338C

    公开(公告)日:2005-05-25

    申请号:CN03128852.9

    申请日:2003-05-27

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 王廷云 郭小勇

    Abstract: 本发明涉及一种光纤微分干涉仪,它由光源、光纤耦合器、探测器、信号处理器、传感器和调制器组成,光纤耦合器采用3×3光纤耦合器,使其输入、输出两测的端子交叉地互相连接形成两个光纤回路,在两个光纤回路上分别设置传感器和调制器,而中间的两个端子分别连接光源和探测器。本发明使干涉光束同光路、同向传输,仅使用一个3×3光纤耦合器,结构简单;抗干扰能力强,特别是对缓变的干扰信号几乎不敏感;可采用短相干长度的光源,如发光二极管;测量参数广泛,如电磁量、机械量、热能量等;是微分干扰仪,它的测量动态范围大。

    高传输能力紫外光纤及其制作方法和含有高羟基光纤预制棒的沉积装置

    公开(公告)号:CN1609639A

    公开(公告)日:2005-04-27

    申请号:CN200410067535.7

    申请日:2004-10-27

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02P40/57

    Abstract: 本发明述及一种高传输能力紫外光纤的制造方法和含有高羟基光纤预制棒的沉积装置,属光学玻璃纤维制造工艺技术领域。本发明方法包括以下各步骤:(1)制作具有高羟基含量的紫外光纤预制棒,(2)紫外光免疫照射处理高羟基含量的光纤预制棒,(3)进入拉丝作业系统及光纤的热处理,(4)光纤涂层及加热固化。本发明方法提出了一种具有高羟基含量的紫外光纤的免疫制作技术,即先用紫外光故意照射含有高羟基成分的光纤预制棒石英玻璃材料,使产生色心缺陷和多层的结构异变,然后再用热处理方法消除这种缺陷,由此增加了光纤的紫外光抗御能力,在一定程度上消除了石英玻璃光纤对紫外光的阻止作用,从而提高了紫外光在石英光纤中的传输能力。

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