一种稳定的β-CsPbI3钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110127752B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201910420068.8

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种稳定的β‑CsPbI3钙钛矿薄膜的制备方法;所述方法包括如下步骤:将CsI、PbI2以及二甲胺氢碘酸盐溶于溶剂中,得前驱体溶液A;将所述前驱体溶液A涂覆于基底上,然后在一定温度条件下去除溶剂和二甲胺氢碘酸盐随即得到稳定的β相结构的CsPbI3全无机钙钛矿薄膜。通过该制备方法制备得到的β‑CsPbI3薄膜结晶性好,表面致密平整,相稳定性高,具有操作便利,成本较低,成膜性好等特点,便于工厂规模化生产。

    一种双向DC/DC变换器及其控制方法

    公开(公告)号:CN110138223B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910394965.6

    申请日:2019-05-13

    Inventor: 王勇 刘亚 孙佳

    Abstract: 本发明公开了一种双向DC/DC变换器及其控制方法,该变换器包括:交错并联的前级变换器以及后级变换器,前级变换器为交错定频运行,后级变换器为交错电压电流双闭环运行。该方法包括:在正向/反向运行时,控制后级变换器通过电压外环产出电流指令,然后将检测到的电感电流与所述电流指令相比较,调节所述后级变换器中多个变换器的占空比来使得多个变换器的电流相同;进而使得前级变化器中多个变换器的输出/输入电压不同。本发明的双向DC/DC变换器及其控制方法,不仅能够发挥LLC变换器软开关损耗低和交错并联变换器输出电流纹波小的长处,同时能够避免LLC变换器并联时因为参数不一致带来的电流不均的问题。

    一种通过黑磷提高钙钛矿电池稳定性的方法

    公开(公告)号:CN110707220A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201810747373.3

    申请日:2018-07-09

    Abstract: 本发明提供了一种通过黑磷提高钙钛矿电池稳定性的方法;包括如下步骤:将二维材料黑磷分散于DMF中,得到黑磷分散液;将MAI、PbI2混合后溶于DMSO中,并加入DMF以及所述黑磷分散液,混匀后得到前驱体溶液;将所述前驱体溶液旋涂于钙钛矿基片表面后,进行低温退火,得到所述钙钛矿薄膜。本发明具有如下的有益效果:本发明使用的黑磷已经商业化,廉价、易于获取;本发明操作便捷,通过向传统的钙钛矿前驱体溶液中添加少量的黑磷,一步法即可得到优质钙钛矿薄膜,可以满足规模化工业生产的需求;通过本发明得到的含二维材料黑磷的钙钛矿薄膜组装的电池效率高达20.65%,经过500小时的连续光照实验,效率未出现任何的下降。

    一种双向DC/DC变换器及其控制方法

    公开(公告)号:CN110138223A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910394965.6

    申请日:2019-05-13

    Inventor: 王勇 刘亚 孙佳

    Abstract: 本发明公开了一种双向DC/DC变换器及其控制方法,该变换器包括:交错并联的前级变换器以及后级变换器,前级变换器为交错定频运行,后级变换器为交错电压电流双闭环运行。该方法包括:在正向/反向运行时,控制后级变换器通过电压外环产出电流指令,然后将检测到的电感电流与所述电流指令相比较,调节所述后级变换器中多个变换器的占空比来使得多个变换器的电流相同;进而使得前级变化器中多个变换器的输出/输入电压不同。本发明的双向DC/DC变换器及其控制方法,不仅能够发挥LLC变换器软开关损耗低和交错并联变换器输出电流纹波小的长处,同时能够避免LLC变换器并联时因为参数不一致带来的电流不均的问题。

    一种功率场效应管的驱动级短路保护装置及保护方法

    公开(公告)号:CN109995350A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910213540.0

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 本发明公开了一种功率场效应管的驱动级短路保护装置及保护方法,该装置包括:IGBT管、功率MOSFET管、驱动保护装置、Vce检测电路及门极驱动电路;IGBT管并联于功率MOSFET管的漏极与源极两端;Vce检测电路分别与IGBT管的集电极及基极相连;驱动保护装置分别与Vce检测电路及门极驱动电路相连;门极驱动电路分别与功率MOSFET管的门极、IGBT管的门极及功率MOSFET管的源极相连。该方法包括:将IGBT管并联于功率MOSFET管的漏极与源极两端;通过检测IGBT管的集电极与基极两端的电压Vce来实现短路保护。本发明利用IGBT管的分流作用,短路时能够有效保护功率MOSFET管。

    一种可变相的三电平三相不平衡校正装置及其校正方法

    公开(公告)号:CN109888802A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910213536.4

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 本发明公开了一种可变相的三电平三相不平衡校正装置及其校正方法,该装置包括:混合式三电平拓扑结构;混合式三电平拓扑结构包括:I型三电平桥臂及T型三电平桥臂;I型三电平桥臂及T型三电平桥臂的每个桥臂的输出侧都通过继电器连接到三相,用于通过继电器为三相选择I型三电平桥臂或T型三电平桥臂。该方法包括:根据三相的负载电流水平,分别为三相选择I型三电平桥臂或T型三电平桥臂。本发明的可变相的三电平三相不平衡校正装置及其校正方法,能在线调整三相的组合顺序,更好地适应实时变化的三相负载条件,降低导通损耗。

    一种具有高电荷传输性质的钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108666429A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810469678.2

    申请日:2018-05-16

    Abstract: 本发明提供了一种具有高电荷传输性质的钙钛矿薄膜的制备方法,其包括如下步骤:将功能化石墨烯分散于DMF中,得到功能化石墨烯分散液;将MAI、PbI2、MACl混合后溶于DMSO中,并加入DMF以及所述功能化石墨烯分散液,混匀后得到前驱体溶液;将所述前驱体溶液旋涂于钙钛矿基片表面后,进行低温退火,得到所述钙钛矿薄膜。本发明具有如下的有益效果:1、本发明使用的功能化石墨烯(氨化石墨烯)已经商业化,廉价、易于获取;2、本发明操作便捷,通过向传统的钙钛矿前驱体溶液中添加少量的氨化石墨烯,一步法即可得到优质钙钛矿薄膜,可以满足规模化工业生产的需求;3、通过本发明得到的含有氨化石墨烯网络的钙钛矿薄膜组装的大面电池效率提升了近30%,且重现性也得到了较大提高。

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